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Volume 11, Issue 6, Jun 1990

• CONTENTS

  合金无序和界面不平整对InGaAs/GaAs应变量子阱光谱展宽的影响

  徐强, 徐仲英, 郑宝真, 许继宗

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 403
  

  平行磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中无序二维电子的局域化效应的影响

  周海平, 郑厚植

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 410
  

  GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究

  徐仲英, 徐强, 郑宝真, 许继宗

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 416
  

  GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析

  郑宝真, 许继宗, 王丽明, 徐仲英, 朱龙德

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 422
  

  a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成

  林鸿溢

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 430
  

  VDMOS全热程的温度分布

  李肇基, 俞洪全, 陈星弼

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 435
  

  氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

  陈维德, H.Bender, H.E.Maes

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 441
  

  快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性

  陆德仁, J.J.WORTMAN

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 448
  

  一个简单光电集成回路的计算机辅助分析

  陈维友, 胡礼中, 刘式墉

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 453
  

  高灵敏度500A,2000V光控晶闸管的研制

  赵善麒, 高鼎三, 潘福泉

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 459
  

  快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究

  陈蒲生, 杨光有, 刘百勇

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 465
  

  SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究

  林成鲁, 周伟, 邹世昌, P.L.F.Hemment

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 470
  

  硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触

  方芳, S.S.Lau

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 475
  

  能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池

  廖显伯, 熊华, 李海峰, 刁宏伟, 郑怀德

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 478
  

  CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器

  李建蒙, 朱龙德, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 481
  

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