Archive

Volume 16, Issue 3, Mar 1995

• CONTENTS

  多量子阱光波导传输特性分析

  马春生

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 161
  

  在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究

  蒋四南，林兰英

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 167
  

  高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数

  王小军，庄岩，王玉田，庄婉如，王启明，黄美纯

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 170
  

  多孔硅的椭偏光谱研究

  莫党，周光增，林位株，张树霖，蔡生民

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 177
  

  MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

  杜庆红，何力，袁诗鑫

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 182
  

  半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测

  闻瑞梅，梁骏吾，邓礼生，彭永清

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 188
  

  Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究

  张灶利，肖治纲，杜国维

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 195
  

  TW－SLA在耦合腔锁模激光器中的调制特性

  孙军强，黄德修，李再光

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 201
  

  硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究

  魏丽琼，程玉华，孙玉秀，阎桂珍，李映雪，武国英，王阳元

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 206
  

  一种新的模块自动生成技术及其系统

  蔡懿慈，洪先龙

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 212
  

  一个以时延优化为目标的力指向Steiner树算法

  洪先龙

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 218
  

  GTR多环FLR结构优化

  荆春雷，肖浦英，陈治明

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 224
  

  用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

  朱德华，卢红波，柳百新

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 229
  

  采用SiO_2／Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究

  刘秀喜，赵富贤，薛成山，孙瑛，华士奎

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 235
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved