Journal of Semiconductors

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Volume 23, Issue 4, Apr 2002

CONTENTS

硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)

朱晖文, 赵柏儒, 刘晓彦, 康晋锋, 韩汝琦

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 337

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)

朱晓鹏, 徐遵图, 张敬明, 马骁宇, 陈良惠

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 342

具有动态控制阳极短路结构的高速IGBT(英文)

杨洪强, 陈星弼

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 347

新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感(英文)

刘畅, 陈学良, 严金龙, 顾伟东

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 352

一种基于新的优化结构和动态电路技术CMOS双模预分频器(英文)

池保勇, 石秉学

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 357

使用超声搅拌实现精密KOH各向异性体硅腐蚀

陈兢, 刘理天, 李志坚, 谭智敏, 蒋前哨, 方华军, 徐扬, 刘燕翔

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 362

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)

张贺秋, 毛凌锋, 许铭真, 谭长华

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 367

InGaAs量子点的自发发射及光增益

宁永强, 高欣, 王立军, Peter Smowton, Peter Blood

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 373

p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性

余学功, 杨德仁, 马向阳, 汤艳, 李东升, 李立本, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 377

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

李传波, 李怀祥, 刘桂荣, 郭成花, 张华, 薛成山

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 382

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

但亚平, 岳瑞峰, 王燕, 姚永昭, 徐杨, 刘理天

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 388

高压热处理对氧沉淀低温形核的影响

徐进, 杨德仁, 马向阳, 李春龙, 阙端麟, A Misiuk

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 394

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子

张瑞英, 董杰, 周帆, 冯志伟, 边静, 王圩

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 399

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

李拂晓, 蒋幼泉, 吴振海, 徐中仓, 钮利荣, 周剑明, 邵凯, 杨乃彬

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 403

表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响

郜锦侠, 张义门, 张玉明, 汤晓燕

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 408

多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计

李牧菊, 杨柏梁

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 414

考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型

陈立锋, 马玉涛, 田立林

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 419

Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性

张锦文, 闫桂珍, 张太平, 王玮, 宁宝俊, 武国英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 424

低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析

冯仁剑, 张海波, Katsumi URA

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 428

硅在KOH中各向异性腐蚀的物理模型

姜岩峰, 黄庆安, 吴文刚, 郝一龙, 杨振川

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 434

基于MATLAB的硅各向异性腐蚀过程模拟

张佩君, 黄庆安

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 440

Ge预非晶化硅化物工艺的研究

孙海锋, 刘新宇, 海潮和, 徐秋霞, 吴德馨

Chin. J. Semicond. 2002, 23(4): 445