非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性

Key words: 镍, 非晶硅, 晶化

Abstract: 报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术 ,探讨了镍诱导晶化机理 .详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响 ,并用 Raman、AFM和 TEM等测试了材料的特性 .实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的多晶 ;在晶化温度为 6 2 5℃左右时晶体横向晶化速率最高 .如要获得较长的晶体 ,低温退火则比较有利

    HTML

Relative (1)

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved