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Volume 1, Issue 3, Mar 1980
CONTENTS
硅中杂质能级的理论计算
陆栋, 陆奋
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 173-178
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非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究
陈坤基, 何宇亮, 杜家方
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 179-186
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Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响
陈光华, 王印月, 吴锦华, 甘润今, 张仿清
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 187-191
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铒离子注入的硫化锌的退火研究
虞家琪, F.J.Bryant
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 192-197
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椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤和退火
莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 198-203
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Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟
王守武, 潘国雄, 王重云
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 204-219
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平面扩散砷化镓变容管
田牧
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 220-227
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直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法
程文超, 黄振岗
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 228-233
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四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器
混频器研制组
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 234-246
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一种新的金属膜干法刻蚀技术
韩阶平, 吕秀英, 杨占坤, 胥兴才
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 247-248
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离子注入无显影刻蚀技术
王培大, 韩阶平, 裴荣祥, 洪啸吟
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 249-250
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激光退火对硅氧化层错的抑制作用
鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡, 陈南斗
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 251-253
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光电压光谱法测定磷砷化镓外延层的组成(二)
邱德仁, 汪乃兴
Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 254-256
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