Issue Browser
Volume 1, Issue 4, Apr 1980
CONTENTS
用赝势法计算四元合金In1-xGaxAsyP1-y的能带
陆奋, 张开明
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 257-266
Abstract PDF

本文的目的是用赝势法研究In1-xGaxAsyP1-y的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构。四元合金的赝势参量以二元化合物的赝势参量为边界值由非线性内插公式决定。为了使所得能隙与实验值符合得更好,我们所用的二元化合物的经验的赝势参量与Cohen和Bergstresser所给的值稍有修正。四元合金的晶格常数由线性内插决定。这样所得的计算结果与实验值符合较好。

本文的目的是用赝势法研究In1-xGaxAsyP1-y的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构。四元合金的赝势参量以二元化合物的赝势参量为边界值由非线性内插公式决定。为了使所得能隙与实验值符合得更好,我们所用的二元化合物的经验的赝势参量与Cohen和Bergstresser所给的值稍有修正。四元合金的晶格常数由线性内插决定。这样所得的计算结果与实验值符合较好。

混晶的长波长光学声子谱
吴汲安
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 267-273
Abstract PDF

掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究
范缇文, 何宏家, 白玉珂, 费雪英
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 274-279
Abstract PDF

硅中硼扩散运动对氧化层错的影响
鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 280-285
Abstract PDF

用反射光谱鉴定蓝宝石(或尖晶石)衬底上外延硅膜
半导体光学性质小组
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 286-291
Abstract PDF

变截面场效应管
朱恩均
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 292-297
Abstract PDF

双极性功率晶体管稳定热斑出现过程的研究
高光渤
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 298-303
Abstract PDF

LSI CAD制版中的图形转换
庄文君, 李全圣, 沈永周
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 304-310
Abstract PDF

注Zn+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化
弓继书, 郑宝真, 庄蔚华, 徐仲英
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 311-317
Abstract PDF

本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P+层。所用的调Q红宝石激光器能量密度1~1.5 J/cm2、脉宽20 ns。霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 1019-8.7 ×1020 cm-3,红外等离子共振极小测量结果与之相符。电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样。另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好。

本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P+层。所用的调Q红宝石激光器能量密度1~1.5 J/cm2、脉宽20 ns。霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 1019-8.7 ×1020 cm-3,红外等离子共振极小测量结果与之相符。电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样。另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好。

极性晶体中慢激子极化电势的性质
顾世洧
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 318-318
Abstract PDF

LPE-GaAs中残留杂质的研究
林兰英, 方兆强, 周伯骏, 朱素珍, 向贤碧, 吴让元
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 319-321
Abstract PDF

集成肖特基逻辑(ISL)
杨大炎, 许平
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 322-324
Abstract PDF

BCCD的一维模型及其数值分析,
崔成烈
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 325-328
Abstract PDF

大规模集成电路测试图案产生方法的研究,
林雨
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 329-332
Abstract PDF

各种光致抗蚀剂的无显影刻蚀特性,
无显影光刻协作组
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 333-334
Abstract PDF

扫描电子束无显影光刻技术
孙毓平, 韩阶平, 梁俊厚, 葛璜, 梁久春
Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 335-336
Abstract PDF

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术。它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点。但是电子束光刻过程,一直延用类似常规紫外光光刻中普遍采用的湿法显影工艺。湿法显影,存在着固有的弊病。由于显影液对光刻胶的溶胀作用,胶膜图形容易畸变,并引起皱胶、浮胶等现象。从而使分辨率下降,抗蚀性减弱,针孔增多。同时显影的控制要求严格,稍有偏离,就会影响图形精度和质量,严重时还可能造成以后的刻蚀无法正常进行,这就大大限制了电子束光刻技术优良性能的发挥。

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术。它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点。但是电子束光刻过程,一直延用类似常规紫外光光刻中普遍采用的湿法显影工艺。湿法显影,存在着固有的弊病。由于显影液对光刻胶的溶胀作用,胶膜图形容易畸变,并引起皱胶、浮胶等现象。从而使分辨率下降,抗蚀性减弱,针孔增多。同时显影的控制要求严格,稍有偏离,就会影响图形精度和质量,严重时还可能造成以后的刻蚀无法正常进行,这就大大限制了电子束光刻技术优良性能的发挥。