在本文中对作者之一过去得到的极性晶体中激子的有效哈密顿,采用变分法计算了激子的基态能量和波函数,就大激子和小激子两种情形,得到了基态能量和波函数的解沂式,对式中各项的意义作了详细的分析.
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极性晶体中激子的性质
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 1
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掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 7
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本文用化学腐蚀、阳极腐蚀法、光学显微镜和透射电子显微镜研究了水平生长的掺Te-GaAs单晶的微缺陷和微沉淀物.获得了微缺陷与位错的相对分布关系,发现这些缺陷及其存在形式与样品的载流子浓度有关.这些微缺陷主要是附有沉淀颗粒的非本征层错和非本征Frank环.并且得到了腐蚀显示的小丘和s坑与透射电子显微镜观察到的缺陷群相对应的关系.
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InSb质子轰击损伤的隔离效应
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 14
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本文研究了高能质子对InSb轰击所引起的损伤的绝缘隔离效应,并将这一效应用于解决InSb红外探测器的光敏面扩大及多元列阵的串音问题.试验是在能量为40keV—2MeV,剂量为10~(13)-10~(16)/厘米~2范围内分别在离子注入机或静电加速器中对 InSb 进行室温下的质子注入.用双晶衍射仪、直径为100微米的小光点设备、串音的电学法测试及高帧速成象仪上检测了损伤隔离效应.实验结果证明了质子轰击损伤隔离是一种优良的电隔离技术,不仅可用于解决InSb红外探测器光敏面扩大及多元列阵探测器的电学串音问题,也是制备平面型器件的优良方法.
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光敏三极管时间参数的瞬态分析
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 22
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本文从光敏三极管的光电瞬态过程出发,导出了时间参数的分析表达式.还测试了光敏三极管的响应时间.实验结果与理论分析很好地符合.
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雪崩光电二极管体内漏电流的测量分析
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 29
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体内漏电流是雪崩光电二极管应用的一个重要参数,而一般测量暗电流的方法无法把表面漏电流和体内漏电流分开.本文提出一种测量雪崩光电二极管体内漏电流的方法,推导有关公式,并对宽耗尽层雪崩光电二极管的体内漏电流进行测量分析.
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IMPATT雪崩二极管大信号理论分析
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 36
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本文在均匀雪崩区的条件下,对电子空穴离化率不等的实际情况给出了IMPATT模式大信号阻抗的理论分析.其结果应用于四毫米频段,对中心频率为75Gc的二极管的输出功率和效率进行了理论计算,并与实验结果进行了比较.
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具有PTF>1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管的理论分析
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 45
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本文由泊松方程和连续性方程在某种假设下推导得端电压方程,用以研究了具有 PTF>1及均匀载流子漂移速度的n~+PP~+(或P~+nn~+)、n~+pn~+(或p~+np~+)和MSM型硅雪崩二极管的交流特性.利用逐步近似法得到分析形式的解,表明这类器件从低频至某一特征的频率范围内均显示负阻.负阻在低频时很小,它随着频率的增大而增大,直到某一频率f_m时达极小值,然后很快地由负阻过渡至一正阻极大值,再随频率的增大而下降,最后渐近于零.
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一种快速多用途TD-TTL弛豫振荡器
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 55
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本文提出TD-TTL组合弛豫振荡电路.由于综合利用了两种快速器件(隧道二极管与高速晶体管-晶体管逻辑)的特点,又加上特有的反馈网络,因而呈现出一系列优越的电学性能.诸如波形好、高速、宽带频率变换、便于程控以及灵活多变的电路功能等. 本文研究了TD与TTL接口电平的匹配关系,分析计算了电路的振荡周期,列出了性能特点,给出了应用实例,指出了应用前景.
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MIS多晶硅太阳能电池的AES和ESCA分析
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 65
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<正> 为了解决能源问题,目前多晶硅太阳能电池的研究受到普遍重视.结构为50(A|°)Cr/60(A|°)Cu/32(A|°)Cr/20(A|°)SiO_2/Si的多晶硅 MIS太阳能电池,据报道可以得到 V_(oc)=0.50伏特,效率达8.8％.MIS多层结构的组份对于太阳能电池的功能有很重要影响.本文目的是利用AES和ESCA研究MIS多层结构的组份,以便改进太阳能电池的功能.
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硅中金杂质分布的测量
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 71
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<正> 本文利用电容瞬态法,测量了扩金工艺制备的二极管中金杂质的分布.由泊松方程已知,从电容瞬态法得到的△C可表示为:
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四探针测圆形薄片电阻率的计算公式
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 74
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<正> 在一直线上等距离排列的四探针测薄圆片的电阻率ρ时,当圆片厚度W小于探针间距S的一半以上,且探针沿圆片径向方向排列,并以圆心为对称中心的情形,其计算公式已由F.M.Smits给出,
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SiCl_4/SiH_4-NH_3体系的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)氮化硅薄膜研究
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 78
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<正> 氮化硅薄膜在大规模集成电路制造过程中占有一定的地位.目前国内一般是采用硅烧和氨做原料,用高频加热的方法来淀积氮化硅薄膜.这种高频常压法工艺产量低,耗电多,薄膜均匀性也比较差.从1977年以来,国外基本上普遍推广LPCVD新工艺代替了以往的常压工艺.
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第一届全国“三束”学术年会简讯
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 81
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<正> 第一届全国“三束”学术年会已于1980年10月23日至29日在湖南长沙市召开.这次会议也是中国电子学会生产技术学会和半导体与集成技术学会分别建立“三束技术学组”和“三束及超精细加工专业组”的成立大会.出席会议的有领导机关、科研单位、高等院校和工厂等80个单位的专家、教授、工程技术人员和干部等240余名代表。
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全国半导体计算机辅助设计和模拟学术会议
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 82
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<正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会主办的《全国第一次半导体计算机辅助设计和模拟学术会议》于1980年8月 11日至15日在青岛举行.来自全国59个单位的科研、工厂、高等院校的110多名代表参加了会议. 中国电子学会副理事长、四机部副部长孙俊人到会听了部分报告,并就发展我国的半导体计算机辅助设计和模拟等问题讲了话.
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第一届全国半导体表面、界面物理学术会议简讯
Chin. J. Semicond. 1981, 2(1): 83
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<正> 第一届全国半导体表面、界面物理学术会议于1980年12月1日至7 日在杭州市召开.来自全国60个单位的领导机关、科研机构、高等院校和工厂的115名代表参加了会议. 中国物理学会常务理事、中国科学院半导体研究所所长黄昆,复旦大学副校长谢希德分别主持了开幕式和闭幕式并作了学术报告.
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