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Volume 2, Issue 4, Apr 1981
CONTENTS
石墨夹层LiC_6的电子态
张开明, 叶令
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 249-262
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用场效应方法研究a-Si中定域态密度
杨喜荣, 廖显伯, 孔光临, 刘昌灵
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 263-266
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用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷
高维滨, 石志文, 任庆余, 鞠静丽
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 267-272
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液相外延Ga_(1-x)Al_xAs层中位错组态的透射电镜研究
梁静国, 冯孙齐, 潘桂明, 陈娓兮
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 273-276
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GaAs气相双层外延层中有源层与缓冲层过渡区宽度的研究
王永晨
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 277-287
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P型硅MOS结构C(t)不稳定性研究
马鑫荣, 田立林, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 288-297
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用MIS结构C(t)特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命
马鑫荣, 田立林, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 298-306
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GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析
俞冠高, 金立荣, 张崇仁
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 307-316
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确定n-Si补偿度的简捷方法
孙毅之, 张又立, 薛绍仁, 徐维明
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 317-319
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压力下隧道管的电流性质
王积方
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 320-323
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突变pin结的解析解问题
阮英超
Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 324-331
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