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Volume 3, Issue 6, Jun 1982
CONTENTS
集团模型方法研究半导体的电子结构
夏建白
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 417-425
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极性晶体中表面极化子的基态能量和有效质量
顾世洧, 燕光
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 426-432
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混合半导体的能隙结构
钟学富
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 433-439
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硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究
王正元, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 440-449
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热处理硅中的氧、碳沉淀
许振嘉, 蒋四南, 孙伯康, 刘江夏
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 450-457
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重掺补偿的P-GaAs的指数带尾和激光特性
杜宝勋
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 458-464
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GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结的光伏特性
虞丽生, 王存达
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 465-473
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4.2K注氮Ga_(1-x)Al_xAs(x=0.2-0.8)的光致发光研究
弓继书, 徐仲英, 徐俊英, 李玉璋, 陈良惠, 石忠诚, 杜宝勋
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 474-481
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高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压
程兆年, 袁云芳, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 482-492
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UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管
王渭源, 夏冠群, 卢建国, 詹千宝, 杨新民, 王文骐
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 493-498
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用EHMO方法计算晶体电子态密度的一种改进
蒋平
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 499-501
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非晶态材料硅的电子态密度的理论计算
傅卓武
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 502-504
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高阻n型硅的电子辐照
盛篪, 陈巧珍, 孙恒慧, 张增光
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 505-508
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电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨
黄惠玲, 许寿祥, 邱兴镛, 张秀淼, 苏九令, 包宗明
Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 509-511
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