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Volume 5, Issue 1, Jan 1984
CONTENTS
多声子跃迁高温强耦合近似的判据
顾宗权, 黄昆
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 1-6
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低剂量中子辐照氢气氛和氩气氛生长区熔硅的深能级瞬态谱研究
杜永昌, 张玉峰, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 7-15
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高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷
张一心, 程美乔, 张泽华, 刘淑琴
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 16-24
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直拉硅单晶碳沾污的研究
梁骏吾, 黄大定, 汪光川, 尹恩华, 杨雪珍
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 25-32
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H_2、N_2气氛下热处理对磷离子注入多晶硅电阻的影响
戴福根, 张继盛, 李维中, 林月凤
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 33-39
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GaAs电解液电场调制椭圆偏振光谱
贾刚
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 40-47
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样品厚度对表面光电压法测试少子扩散长度的影响
杨恒青, 姜国庆, 陈玉金, 包宗明
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 48-55
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用于GaAs的新腐蚀液的腐蚀特性和动力学
王立模
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 56-65
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InP、InGaAsP质子轰击区的光学特性及质子轰击条件对InGaAsP/InP DH激光器特性的影响
朱龙德, 王莉, 胡雄伟
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 66-73
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半导体四层漏光波导的分析
张敬明, 郑宝真
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 74-80
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用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面
谢葆珍, 刘世杰, 张敬平, 殷士端, 顾诠, 戴爱平
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 81-87
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界面异型掺杂层对肖特基二极管的影响
潘士宏, 莫党
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 88-94
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硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收
叶亦英, 陈畅生, 张哲华
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 95-98
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非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET
吴鼎芬, H.Daembkes, K.Heime
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 99-102
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电子束掺杂磷
李秀琼, 孙慧玲, 王培大
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 103-107
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染料脉冲激光诱导扩散
谢宗钧, 黄乐斌, 刘世祥, 姚德成, 石万全
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 108-112
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a-Si:H中磷掺杂机理的探讨
吴宗焱, 沈月华, 叶雅谷, 祁明维, 白国仁
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 113-115
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晶体管h_(FE)电流关系的一点注记
易明銧
Chin. J. Semicond.  1984, 5(1): 116-120
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