Issue Browser
Volume 5, Issue 4, Apr 1984
CONTENTS
流体静压力下的Si中的深杂质能级
夏建白
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 345-352
Abstract PDF

a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究
邢益荣, 钟战天, 沈光地
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 353-359
Abstract PDF

多晶硅中碳化物及其来源的研究
万群, 李玉珍, 徐宝琨, 赵慕愚
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 360-367
Abstract PDF

原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察
钱家骏, 褚一鸣, 范缇文, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 368-373
Abstract PDF

二毫米雪崩二极管微波振荡器
杨玉芬, 刘衍芳
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 374-379
Abstract PDF

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻
郑一阳, 张进昌
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 380-387
Abstract PDF

MOSFET强表面场电学特性分析
刘可辛, 傅予, 李宏
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 388-395
Abstract PDF

LSI二维布局的分析算法
周电, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 396-403
Abstract PDF

快速最优通道布线算法
吴祖增
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 404-411
Abstract PDF

LSI多元胞版图设计的一种布局方法
沙蕗, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 412-421
Abstract PDF

双边单元的LSI自动布局算法
程可行, 庄文君
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 422-430
Abstract PDF

可编逻辑阵列的折迭和版图自动生成
赵文庆, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 431-439
Abstract PDF

关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象
马鑫荣, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 440-442
Abstract PDF

用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度
谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 443-448
Abstract PDF

Al-SiO_2-Si/n系统的r辐照界面效应及退火特性
张秀淼, 顾峰, 谢可勋
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 449-452
Abstract PDF

K_(CMR)的一个测试方法
李光宇
Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 453-456
Abstract PDF