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Volume 5, Issue 6, Jun 1984
CONTENTS
高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)
周勉, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 577-584
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聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算
顾宗权, 王永良
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 585-595
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蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析
佘觉觉, 曹大年, 王维明, 昝育德, 邓惠芳, 王建华, 郁元桓
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 596-604
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亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究
彭秀峰, 龙先灌, 王明华, 何福庆, 郭华聪
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 605-610
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微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 611-620
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低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟
王季陶, 张世理, 王焕杰, 连美华
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 621-630
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AlGaP固溶体的电反射光谱
江德生, 涂相征, 刘继光
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 631-637
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InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合
庄蔚华, 郑宝真, 徐俊英, 李玉璋, 许继宗, 陈培力
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 638-645
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氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究
汪兆平
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 646-652
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关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附
车静光, 张开明, 谢希德
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 653-660
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CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质
袁仁宽, 徐俊明
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 661-665
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SOS膜的铝自掺杂剖面
陈庆贵, 蔡希介, 史日华, 王其闵, 陆东元
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 666-670
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用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究
傅春寅, 鲁永令
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 671-675
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磷砷化镓离子注入层的CW CO_2激光退火研究
马景林, 周瑞英, 李国辉, 阎凤章
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 676-678
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1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器
王圩, 张静媛, 田慧良
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 679-682
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化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构
郭志权, 范钦梁, 黄和鸾, 邢金海
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 683-688
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掺砷锗中基态能级裂距的作用
傅绮英
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 689-693
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分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结
陈宗圭, 梁基本, 孙殿照, 黄运衡, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 694-697
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一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管
李凤银, 周旋, 李锦林, 曹体伦
Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 698-701
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