Chin. J. Semicond.
1985, 6(4): 423-428
null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(4): 423.
傅新定, 陈国明, 任琮欣, 郑廷芳, 陈莉芝, 方红丽, 杨洁. 反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(4): 423..Export: BibTex EndNote
傅新定, 陈国明, 任琮欣, 郑廷芳, 陈莉芝, 方红丽, 杨洁. 反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(4): 423...