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Volume 7, Issue 6, Jun 1986
CONTENTS
P型锗中光子牵引效应
王学忠, 刘继周, 王晓谦, 甘子钊
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 565-572
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一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析
徐葭生, 张明宝, 杨肇敏, 张钟宣
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 573-581
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三维CMOS集成电路工艺及其性能研究
钱佩信, 马腾阁, 山静, 赵寅鹏, 陈必贤, 林惠旺
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 582-588
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硅中锰施主能级Mn_i~(0/+)的光学性质研究
王占国
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 589-595
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用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜
王云珍, 蒋长根
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 596-601
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SiCl_4-SiH_4-H_2混合源的硅外延生长
汤广平, 刘明登, 全宝富, 赵慕愚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 602-607
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p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析
陈之章, 韩茂畴, 王宗畔, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 608-611
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影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素
黄信凡, 鲍希茂, 蒋锡平, 文婧, 褚一鸣
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 612-616
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H_2O在Si(100)面上化学吸附的理论研究
曹培林
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 617-623
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低阈值压缩双异质结构激光器的制造
杜国同, 杨德林, 肖建伟, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 624-630
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Si_3N_4膜气相淀积的最佳工艺条件的选择和应用
阮传土
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 631-637
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离子注入抗蚀技术
韩阶平, 王培大, 马俊如, 王守武
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 638-642
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CWCO_2激光在硅中引入的位错深能谱研究
张新宇, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 643-650
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砷化镓隧道发射晶体管
续竞存
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 651-657
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分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜
梁基本, 孙殿照, 陈宗圭, 黄运衡, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 658-660
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剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布
洪英, 莫党
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 661-664
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Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)及Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结界面的电子能带结构
徐至中
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 665-667
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Au-Si共晶合金液态金属离子源
张立宝, 葛璜, 马祥彬, 凌仲珪
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 668-671
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金刚石结构中填隙原子振动谱
傅英, 徐文兰
Chin. J. Semicond.  1986, 7(6): 672-676
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