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Volume 8, Issue 4, Apr 1987
CONTENTS
用离子自注入改善SOS单晶膜质量的研究
范仁永, 郁元桓, 褚一鸣, 殷士端, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 337-344
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横向电压型压力传感器灵敏度的几何效应
鲍敏杭, 齐薇佳, 王言
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 345-350
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Si(331)-6×2表面相及其氧吸附特性
邢益荣
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 351-355
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亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的能带结构
徐至中
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 356-361
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微波功率晶体管管内匹配网络
徐天东
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 362-370
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MOS器件三维数值模拟
陈大同, 吴启明, 王泽毅, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 371-377
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两微米外延N阱CMOS艺的研究
马槐楠, 徐葭生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 378-384
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P埋层GaAs MESFET研究
史常忻, 李晓明, 忻尚衡, 陈益新
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 385-390
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硅禁带宽度的温度关系
易明銧
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 391-394
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二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式
陈国樑
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 395-401
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条形半导体激光器中电过程和光波导过程的精确理论
郭长志, 丁凡
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 402-409
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流体静压力下窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe电学性质的研究
刘冉, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 410-417
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Si中注入Zn的辐射损伤
殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 418-422
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半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响
王桂芬, 马根源, 张光寅
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 423-425
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键轨道参数的直接计算
钟学富
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 426-428
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锗硅单晶扩散系数理论探讨及各晶向扩硼实验
陈忠景, 陈为民, 林政伟
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 429-432
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a-Si_(1-x)C_x:H/pn~(-in)结构的蓝白色电致发光
张仿清, 张亚非, 陈光华
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 433-436
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近红外全离子注入平面结构锗雪崩光电探测器的研制
丁国庆, 阚希文
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 437-442
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GaAs IC逻辑门静态特性的分析
史常忻, 余兴
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 443-444
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高阻化合物电阻率的测量方法
祁增芳
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 445-448
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第二届全国多值逻辑学术讨论会在重庆大学召开
黄开源
Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 449-449
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