Issue Browser
Volume 10, Issue 4, Apr 1989
CONTENTS
TiN/n-GaAs肖特基势垒特性
张利春, 高玉芝
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 241-248
Abstract PDF

MOS型波导光学特性分析
马春生, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 249-253
Abstract PDF

半导体多量子阱激光器的波导模式分析
郭长志, 杨新民
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 254-263
Abstract PDF

条形DH半导体激光器的自发发射因子
赵一广, 郭长志
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 264-275
Abstract PDF

单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
严勇, 李齐, 冯端, 孙慧龄, 王培大
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 276-279
Abstract PDF

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究
董丽芳, 傅广生, 李晓苇, 韩理, 张连水, 吕福润
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 280-285
Abstract PDF

集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型
王阳元, 陶江, 韩汝琦, 吉利久, 张爱珍
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 286-293
Abstract PDF

快速热工艺氧化法生长超薄SiO_2层的研究
黄宜平, C.A.Paz de Araujo
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 294-300
Abstract PDF

In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析
徐宝琨, 李钟华, 宋利珠, 赵慕愚
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 301-308
Abstract PDF

Si~+,Mg~+(隐埋)双注入GaAs MESFET
欧海疆, 王渭源, 赵崎华, 蒋新元
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 309-312
Abstract PDF

光电化学法测定硅中少子扩散长度
骆茂民, 彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 313-316
Abstract PDF

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究
李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平, T G.Andersson, Z.G.Chen
Chin. J. Semicond.  1989, 10(4): 317-321
Abstract PDF