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Volume 10, Issue 6, Jun 1989
CONTENTS
用超精细分裂计算研究非晶硅中g=2.0055 ESR谱
贾勇强, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 403-410
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ZnS:Mn,Sm材料中Mn中心与不同的Sm中心的相互作用及温度的影响
许武, 张新夷, 徐叙瑢
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 411-418
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MPNIM结构光致变电容效应
朱长纯, 刘君华, J.M.Xu
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 419-425
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Cu_2S/CdS太阳电池稳定性机理的研究
肖亦农, 王守臣, 董殿洪, 王兴瑞, 王福善, 常俊玲, 袁淑贞, 史恩栋, 李红卫
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 426-433
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硅中Pd-B络合物性质的理论研究
吴汲安, 周洁, 张大仁
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 434-440
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扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究
卢志恒, 罗晏, 王大椿
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 441-448
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高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱
钱佑华, 冷静民, 林成鲁, 邢昆山
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 449-452
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氮离子注入形成SOI结构的外延研究
林成鲁, 李金华, 方予韦, 邹世昌
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 453-456
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离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究
柳襄怀, 薛滨, 郑志宏, 周祖尧, 邹世昌
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 457-462
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关于圆柱边界突变结的击穿电压
陈星弼, 李肇基, 李忠民
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 463-466
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MoS_2激子效应的压电光声研究
王桂芬, 马根源, 王宣, 张光寅, 钟源, 秦利
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 467-470
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n型LEC-GaAs中E_5能级的研究
张芊, 王占国, 万寿科, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 471-474
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Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
王因生, 盛文伟, 汪建元, 张晓明, 熊承堃, 朱恩均
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 475-478
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a-Si:H带尾态的光致变化
孔光临, 毛自力
Chin. J. Semicond.  1989, 10(6): 479-482
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