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Volume 11, Issue 11, Nov 1990
CONTENTS
瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究
贾英波, 李名复, 周洁, 高季林, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 809-821
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用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格
徐建国, 王建宝, 盛篪, 孙恒慧, 郑思定, 姚文华
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 822-828
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GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量
程文超, 李月霞, 梁基本
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 829-833
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TEM电子束诱导硅表面氧化的分析
杨德仁, 姚鸿年
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 834-837
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超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响
陈南翔, 王忠烈, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 838-843
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两步退火对SIMOX结构形成的影响
陈南翔, 王忠烈, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 844-848
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氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响
李观启, 黄美浅, 刘百勇
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 849-854
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In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的X射线双晶衍射研究
陈京一, 朱南昌, 田亮光, 李润身
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 855-858
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Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应
陈维德, 崔玉德, 许振嘉, 陶江
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 859-865
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离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
肖光明, 殷士端, 张敬平, 范缇文, 刘家瑞, 丁爱菊, 周均铭, 朱沛然
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 866-870
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CoMnNiO非晶薄膜的热激电导
陶明德, 谭辉, 韩英
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 871-876
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提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法
龙伟, 徐元森
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 877-880
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钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究
周一敏, 孙迭篪, 李富铭, 杜元成, 王海
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 881-885
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效率为8.55%的100cm~2单结集成型非晶硅太阳电池的研究
孟志国, 耿新华, 王广才, 孙钟林
Chin. J. Semicond.  1990, 11(11): 886-888
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