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Volume 11, Issue 12, Dec 1990
CONTENTS
电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究
胡雨生, 汪乐, 陈正秀
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 889-895
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EL2能级和光电离截面的计算
王传奎, 徐婉棠
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 896-905
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铬硅化物的形成及其界面反应
丁孙安, 许振嘉, 李宝骐, 周一峰
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 906-914
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离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器
郑国祥, 邬建根, 王昌平, 朱景兵, 屈逢源, 周寿通
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 915-921
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异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究
顾聪, 王德宁, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 922-930
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磁敏二极管的数值模拟
韩峰岩, 徐启华
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 931-936
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氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用
李建中
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 937-941
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冷发射电子束掺杂磷
李秀琼, 王培大, 马祥彬, 王纯
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 942-945
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Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成
何杰, 许振嘉, 钱家骏, 王玉田, 王佑祥
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 946-949
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剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响
王珏, 陆卫, 刘激鸣, 俞振中, 汤定元
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 950-953
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反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究
陈光华, 徐进章, 张仿清
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 954-957
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低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
王树堂, 曾靖, 李锋, 胡春阳, 夏彩虹, 孙捷, 樊爱香
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 958-961
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薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系
夏永伟, 王守武
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 962-965
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氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究
张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 966-968
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