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Volume 11, Issue 6, Jun 1990
CONTENTS
合金无序和界面不平整对InGaAs/GaAs应变量子阱光谱展宽的影响
徐强, 徐仲英, 郑宝真, 许继宗
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 403-409
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平行磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中无序二维电子的局域化效应的影响
周海平, 郑厚植
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 410-415
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GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究
徐仲英, 徐强, 郑宝真, 许继宗
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 416-421
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GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
郑宝真, 许继宗, 王丽明, 徐仲英, 朱龙德
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 422-429
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a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成
林鸿溢
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 430-434
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VDMOS全热程的温度分布
李肇基, 俞洪全, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 435-440
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氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应
陈维德, H.Bender, H.E.Maes
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 441-447
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快速热生长二氧化硅-硅结构负偏压温度不稳定性
陆德仁, J.J.WORTMAN
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 448-452
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一个简单光电集成回路的计算机辅助分析
陈维友, 胡礼中, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 453-458
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高灵敏度500A,2000V光控晶闸管的研制
赵善麒, 高鼎三, 潘福泉
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 459-464
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快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究
陈蒲生, 杨光有, 刘百勇
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 465-469
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SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究
林成鲁, 周伟, 邹世昌, P.L.F.Hemment
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 470-474
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硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触
方芳, S.S.Lau
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 475-477
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能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池
廖显伯, 熊华, 李海峰, 刁宏伟, 郑怀德
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 478-480
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CCTS结构GaAs/AlGaAs单量子阱双稳态激光器
李建蒙, 朱龙德, 王启明
Chin. J. Semicond.  1990, 11(6): 481-483
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