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Volume 11, Issue 7, Jul 1990
CONTENTS
Si/GaAs异质结界面态及其价带不连续性
黄春晖
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 485-492
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半导体聚合物的激发能谱
傅柔励, 帅志刚, 刘晶南, 孙鑫
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 493-499
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喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向
吴华生, 邬建根, 屈逢源
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 500-507
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外腔半导体激光器小信号调制性能的理论分析
李龙勤, 杨恩泽
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 508-514
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分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究
滕达, 庄蔚华, 梁基本, 李玉璋
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 515-520
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调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性
邓生贵
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 521-526
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Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质
曹宝成, 刘明, 戴国才
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 527-532
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La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
牟善明, 王佑祥, 殷士端, 张敬平, 刘家瑞
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 533-538
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预非晶化硅中注入硼的异常扩散
鲍希茂, 华雪梅
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 539-545
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远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨
韩阶平, 侯豪情
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 546-550
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MISHFET的研制
杨沁清, 高俊华, 曾一平, 孔梅影, 孙殿照, GaAs
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 551-555
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WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性
张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 方克微, 汪锁发, 柴淑敏
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 556-560
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Er~+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
严勇, 王培大, 胡梅生, 孙慧龄, 李齐, 冯端
Chin. J. Semicond.  1990, 11(7): 561-564
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