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Volume 12, Issue 2, Feb 1991
CONTENTS
Si(113)表面的原子结构
邢益荣, 张敬平, 吴汲安, 刘赤子, 王昌衡
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 65-67
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Al/a-Si:H界面反应和热处理行为光发射研究
钟战天, 王大文, 廖显伯, 牟善明, 范越, 李承芳
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 68-72
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高压扩散结雪崩击穿参量的解析计算
梁苏军, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 73-79
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退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响
曹望和, 张联苏
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 80-86
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B~+、P~+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究
孙璟兰, 李名复, 陈建新
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 83-100
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As~+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征
张伯旭, 罗晏, 王忠烈
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 87-92
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一种二维SOI CMOS门级瞬态数值模型
杜敏, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 101-107
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GEDS中的联机增量式设计规则检查及其实现
应昌胜, 洪先龙, 王尔乾
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 108-113
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TiSi_x/GaAs肖特基接触的退火特性
钱鹤, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 114-119
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GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态
吴荣汉, 段海龙, 王启明, 曾一平, 孔梅影, 潘钟, 张权生, 林世鸣
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 120-124
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GaAs:Cr中的Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振研究
毛晋昌, 傅济时, 吴恩, 秦国刚, 王永鸿, 马碧春
Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 125-128
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