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Volume 13, Issue 6, Jun 1992
CONTENTS
AlGaAs混晶中Te施主能级
康俊勇, 黄启圣, 林虹, 陈朝, 唐文国, 李自元
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 327-332
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GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究
江德生, 刘大欣, 张耀辉, 段海龙, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 333-342
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应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究
潘士宏, 刘毅, 张存洲, 张光寅, 冯巍, 周钧铭
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 343-350
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(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质
段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 351-358
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弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响
毕文刚, 李爱珍
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 359-366
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GaAs IC 逻辑单元与或非 DCFL特性计算机示波器方式模拟及电路设计*
王庆康, 史常忻
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 367-371
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TiO_2薄膜制备及其表面光电压谱研究
戴国瑞, 刘旺, 陈自力, 姜月顺, 诸真家, 陈丽华, 李铁津
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 372-378
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集成电路塑封应力的压阻测试
陈健, 鲍敏杭, 胡澄宇, 李善君, 谢静薇, 郑国荣
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 379-385
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PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
曾天亮, 陈平, 江志庚, 李志彭
Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 386-391
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