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Volume 14, Issue 12, Dec 1993
CONTENTS
漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究
程玉华, 李瑞伟, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 723-727
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不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究
程玉华, 李瑞伟, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 728-733
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锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究
范缇文, 张敬平, P.L.F.Hemment
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 734-737
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Co—Si多层膜的透射电镜研究
顾诠, 何杰, 钱家骏, 陈维德, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 738-742
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聚合物半导体PAn表面场效应管
袁仁宽, 杨树成, 袁宏, 江若莲, 郑有炓, 钱辉作, 桂德成
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 743-747
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In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究
王庆康, 史常忻
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 748-753
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用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
褚幼令, 王宗欣, 吴天福
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 754-759
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单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率
华文玉, 陈存礼
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 760-69
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分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究
梁基本, 孔梅影, 王占国, 朱战萍, 段维新, 王春艳, 张学渊, 曾一平
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 768-770
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用离子注入控制形成多孔硅发光图形
杨海强, 鲍希茂, 杨志锋, 洪建明
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 771-773
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非晶硅太阳电池的正向注入电流检测磁共振研究
傅济时, 吴恩, 毛晋昌, 朱美栋, 廖显伯
Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 774-777
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