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Volume 15, Issue 10, Oct 1994

    CONTENTS

  • GaAs/Al_(0.4)Ga_(0.6)As多量子阱红外探测器光吸收计算

    范卫军,夏建白

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 655

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    本文在有效质量理论基础上计算了GaAs/Al0.4Ga0.6As多量子阱子带间光吸收谱以及电子态密度。具体讨论了两种情况的吸收.第一种情况是量子阱中只存在一个基态;第二种情况是量子阱中存在一个基态同时还存在一个激发态.最后与有关实验进行比较.

  • InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

    童玉珍,杨锡震,王占国,周伯骏

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 660

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    在Onabe工作的基础上,使用对相互作用模型对于In1-xGaxAs1-ySby四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值(x,y)进行了计算.结果表明团簇效应在该系统中严重存在.计算了对分布几率随组分值和温度的变化.对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论.

  • 分子束外延GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs及界面失配研究

    阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 665

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    本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAssb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层.

  • 多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究

    高元恺,韩爱珍,赵永春,林逸青

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 670

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    利用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪,分光光度计和C-V测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试.结果表明薄膜的成分接近化学计量的GaAs.根据薄膜的光吸收曲线和Mott-Schottky曲线计算了带隙值和能级位置.最后,测量了薄膜/电解液结的光电特性.

  • 多孔硅的氢化、氧化与光致发光

    张丽珠,段家忯,林军,张伯蕊,毛晋昌,付济时,秦国刚,许振华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 674

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    对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释.

  • 染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性

    夏永伟,李国花,滕学公,樊志军

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 681

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    用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀,制备了多孔硅.本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性,特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系,多孔硅的稳定性和响应特性.

  • MOS场效应管的新的电流公式

    汤庭鳌,王晓晖,郑大卫

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 686

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    本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代MOS场效应管的电流-电压特性,避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设.所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域.计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应,得到了适用于短沟道MOS管的电流公式.

  • 基于MBE的GaAlAs/GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

    罗毅,张盛忠,司伟民,陈镝,王健华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 694

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    利用分子束外延(MBE)对GaAIAs和GaAs的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长,既能获得清洁的外延界面,又能精确控制光栅的形状.采用这种方法,我们在国际上首次成功地制作了完全MBE生长的内含吸收光栅的GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合型分布反馈式(DFB)半导体激光器.并实现了激光器在室温下的脉冲激射,、器件表现出了DFB模式的单模工作特性.

  • 用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器

    陈娓兮,钟勇,蔡兵,赵冀徽,焦鹏飞,王舒民,石志文,高俊华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 700

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    我们采用液相外延的方法,在n-GaAs衬底上生长分别限制单量子阶作为激光器的有源区.国内首次采用银膜作为垂直短腔面发射激光器的谐振腔的反射镜和欧姆接触电极.分别制作了底部和顶部出光的两种类型管子,在室温脉冲工作状态下,均已观察到激射.顶部出光管子阈值电流为4.5A;底部出光管子阈值电流为3.8A.激射波长为872.8nm,纵模间隔为1.9um.同时还研究了不同银膜厚度在GaAs界面上的反射率.

  • F~++B~+双注入浅结研究

    李金华,林成鲁,冒建军,何建军,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 704

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    对不同条件的F++B+双注入样品和对应能量的B+和BF2+注入样品,作1100℃.10秒的瞬时热退火,然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深.结果显示,用1e15/cm2的F+预注入能有效地抑制低能B+注入的沟道效应,获得陡直的浅结.对样品的结特性测试表明,F++B+双注入样品的结漏电与B+注入样品一致,小于对应能量的BF2+注入样品.RBS/C分析表明,只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区,就能抑制低能B+注入的沟道效应,并非必需使衬底达到预非晶状态

  • GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

    王杏华,郑厚植,李承芳,刘剑,杨小平,余琦

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 711

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    研究了低温、平行磁场下两种GaAs/AlGaAs双量子阱的量子干涉特性.两种样品的阱宽均为60,但挚垒层厚度不同,分别为120和20.实验结果表明,样品的电导随磁场呈周期性振荡,振荡周期近似为h/(e·S),这一结果同Aharonov-Bohm效应的理论值相吻合。我们也发现,薄势垒层样品比厚势垒层样品的电导振荡幅度更大一些.

  • Nb/C_(60)/p型Si结构的特性

    陈开茅,金泗轩,贾勇强,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 716

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    研究了Nb/C60/P型Si结构的电学特性.I-V结果表明这一结构具有强整流效应,这意味着在C60/Si界面附近存在着一个势垒,或称C60/Si异质结.高频C-V结果表明在C60层中存有约1012~1013cm-2的可动负离子.这些离子的松弛温度高于350K,冻结温度低于260K,以及在300-370K的测量温度范围内,C60膜的相对介电常数与温度无关,即εC60=3.7±0.1.

  • 低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器

    张敬明,徐遵图,杨国文,李世祖,郑婉华,肖建伟,徐俊英,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 721

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    本文报道低阈值脊形波导单量子阶级联双区激光器的制备,直流输出特性,光双稳、光谱调谐和高频调制ps特性.激射波长~0.85μω,调谐范围为7nm.

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