Issue Browser
Volume 15, Issue 12, Dec 1994
CONTENTS
半导体激光器在微波场加热电子变温调制下的小讯号行为
郭长志,陈水莲
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 799-808
Abstract PDF

AlN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究
侯永田,张树霖,高玉芝,尹红坤,宁宝俊,李婷,张利春
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 809-813
Abstract PDF

本文用喇曼散射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AlN和PECVD淀积的SiO薄膜的界面应力,并研究了这两种薄膜在N和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响.结果表明,与SiO薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AlN薄膜,其界面应力很小,而且经N和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AlN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料.

本文用喇曼散射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AlN和PECVD淀积的SiO薄膜的界面应力,并研究了这两种薄膜在N和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响.结果表明,与SiO薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AlN薄膜,其界面应力很小,而且经N和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AlN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料.

δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs/InGaAs/GaAs傅里叶变换光致发光光谱
沈文忠,唐文国,李自元,沈学础
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 814-819
Abstract PDF

Cs/InP(100)界面相互作用性质的研究
徐世红,徐彭寿,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 820-825
Abstract PDF

MBE生长的PM-HEMT结构中深电子陷阱及其钝化/消除
卢励吾,周洁,梁基本,孔梅影
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 826-831
Abstract PDF

超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究
叶志镇
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 832-837
Abstract PDF

pH-ISFET 输出时漂特性的研究
钟雨乐,赵守安,刘涛
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 838-843
Abstract PDF

Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在(100)InP衬底上的LPE法生长
陈根祥,李洵,简水生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 844-849
Abstract PDF

本文运用R.A.S(Regular Associated Solutions)模型的基本原理,导出了简明的适用于AⅡ-BⅥ-CⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程.并由此计算了Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡曲线,计算结果与已有的实验数据符合.最后,对ZnSe0.52Te0.48在(100)InP衬底上的液相外延生长进行了实验研究.

本文运用R.A.S(Regular Associated Solutions)模型的基本原理,导出了简明的适用于AⅡ-BⅥ-CⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程.并由此计算了Zn-Se-Te三元系富Te区的液固平衡曲线,计算结果与已有的实验数据符合.最后,对ZnSe0.52Te0.48在(100)InP衬底上的液相外延生长进行了实验研究.

基区非均匀掺杂对AlGaAs/GaAs HBT电学特性影响的数值分析
曾峥,吴文刚,罗晋生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 850-857
Abstract PDF

基于异质结漂移-扩散模型,考虑Fermi-Dirac统计和重掺杂能带窄变(BGN)效应,对具有非均匀掺杂基区的AlGaAs/GaAsHBT进行了数值模拟.结果表明,当基区非均匀程度较大时,非均匀掺杂引起的基区自建场远大于BGN效应产生的反向场.基区非均匀掺杂能提高电流增益,但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢.基区非均匀掺杂可明显改善截止频率f,但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τ,scR,使得f在非均匀程度较大时开始下降.发射极-集电极offset电压在一定的非均匀程度下达到最佳值.

基于异质结漂移-扩散模型,考虑Fermi-Dirac统计和重掺杂能带窄变(BGN)效应,对具有非均匀掺杂基区的AlGaAs/GaAsHBT进行了数值模拟.结果表明,当基区非均匀程度较大时,非均匀掺杂引起的基区自建场远大于BGN效应产生的反向场.基区非均匀掺杂能提高电流增益,但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢.基区非均匀掺杂可明显改善截止频率f,但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τ,scR,使得f在非均匀程度较大时开始下降.发射极-集电极offset电压在一定的非均匀程度下达到最佳值.

聚合物膜中CdS超微粒的制备及光物理性质研究
周晓文,李学萍,林原,肖绪瑞
Chin. J. Semicond.  1994, 15(12): 858-863
Abstract PDF