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Volume 15, Issue 6, Jun 1994
CONTENTS
氢等离子体对(Pt及其硅化物)/Si界面的杂质/缺陷态和势垒的影响
丁孙安,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 367-372
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Si/Si1-xGex应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量
张鹏翔, D. J. Lockwood, J. M. Baribeau, H. J. Labbe
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 373-382
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进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究
陈克铭,李国花,陈朗星,朱燕
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 383-387
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优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n~-/n~+/p~+
杨谟华,黎展荣
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 388-392
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Ⅲ族锢源对LP-MOVPE方法生长In1-xGaxAs材料的影响
祝进田,胡礼中,刘式墉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 393-396
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GaAs表面等离激元偏振子的激励以及它的偏光依赖性
吴鼎祥
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 397-401
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微氮硅单晶热处理性质研究
杨德仁,姚鸿年,阙端麟
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 402-408
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硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究
周铁城,蔡群,朱昂如,董树忠,盛篪,俞鸣人,张翔龙,王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 409-415
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用非相干光时间延迟四波混频测量载流子复合时间
张希清,赵家龙,泰伟平,黄世华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 416-421
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微氮硅单晶中氧沉滨
杨德仁,姚鸿年,阙端麟
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 422-428
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硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
刘晓为,张国威,刘振茂,理峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 429-434
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Si+ 注入InP材料的欧姆接触特性研究
沈鸿烈,徐宏来,周祖尧,林梓鑫,邹世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(6): 435-438
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