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Volume 15, Issue 9, Sep 1994
CONTENTS
在非线性分子固体中的自局域性集体激发特性
庞小峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 583-587
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GexSi1-x/Si(001)量子阱的电子结构及光跃迁
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 588-595
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布里兹曼法碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析
王培林,魏科,周士仁
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 596-602
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自对准Ti-SALICIDE LDD MOS工艺研究
徐秋霞,龚义元,张建欣,汪锁发,翦进,海潮和,扈焕章
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 603-610
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为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
牛国富,阮刚
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 611-616
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高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究
严荣良,高文钰,张国强,余学锋,罗来会,任迪远,赵元富,李荫波
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 617-622
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InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析
何振华,王圩
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 623-630
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注入光敏三极管的基本特性和分析
何民才,黄启俊,陈炳若,龙理,陈畅生,戴锋,池桂梅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 631-637
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利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究
陈茂瑞,陈坤基,姜建功,施伟华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 638-642
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实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法
吴兴惠,李艳峰,周桢来,田子华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 643-649
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器
杨国文,肖建伟,徐遵图,张敬明,徐俊英,郑婉华,曾一平,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 650-654
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