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Volume 16, Issue 1, Jan 1995
CONTENTS
非晶氮化硅纳米粒子Ⅰ:连续无规网络模型
左都罗,李道火,夏宇兴
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 1-7
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闪锌矿结构Zn1-xMnxSe混晶光学声子行为
过毅乐,劳浦东
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 8-12
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本文计算了闪锌矿结构Zn1-MnSe光学声子频率随组分x值的改变.计算表明,Zn1-MnSe混晶的光学声子属混模行为.在计算中,表征晶格常数改变对力常数影响的物理量,不同混晶应取不同的值.

本文计算了闪锌矿结构Zn1-MnSe光学声子频率随组分x值的改变.计算表明,Zn1-MnSe混晶的光学声子属混模行为.在计算中,表征晶格常数改变对力常数影响的物理量,不同混晶应取不同的值.

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构
郝平海,侯晓远,丁训民,贺仲卿,蔡卫中,王迅
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 13-18
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多孔硅的微观结构及其氧化特性
黄宜平,郑大卫,李爱珍,汤庭鳌,崔堑,张翔九
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 19-25
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GaP/Si异质结的制备及特性
王兢,邓希敏,苗忠礼,刘国范,杨树人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 26-30
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MOCVD GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制
余庆选,彭瑞伍,励翠云
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 31-35
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MeV~(28)Si~+注入GaAs的两步快退火行为
张燕文,姬成周,李国辉,王文勋
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 36-41
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外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定
朱南昌,李润身,陈京一,许顺生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 42-47
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GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器
李晋闽,郑海群,曾一平,孔梅影
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 48-51
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C波段3瓦T形电极硅双极晶体管
张树丹,王因生,李相光,陈统华,谭卫东,郑承志,刘六亭,陈培棣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 52-55
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半导陶瓷湿度传感器的组分分析
胡绪洲
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 56-61
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锗硅脊形光波导Y分支器的模拟及试制
潘姬,赵鸿麟,杨恩泽
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 62-66
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场限环电场分布的有限元分析
荆春雷,肖浦英,陈治明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 67-72
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半导体器件瞬态模型渐近分析
曹俊诚,魏同立,郑茳
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 73-76
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GaAs/AlAs超晶格Γ-X级联隧穿导致的电场畴
张耀辉,杨小平,刘伟,崔丽秋,江德生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(1): 77-80
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