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Volume 16, Issue 6, Jun 1995
CONTENTS
超晶格微带电子态随电场演化过程的电解液电反射谱研究
刘伟,江德生,张耀辉,王若桢
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 401-406
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P-型HgCdTe MIS结构反型层激发态子能带结构研究
刘坤,褚君浩,李标,汤定元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 407-412
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MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析2.Hg_(1-x)Cd_xTe体系
陆大成,段树坤
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 413-420
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分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析
司伟民,罗毅,李德杰,张克潜,孙长征
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 421-427
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植入式程控生理型(DDD)心脏起搏器中程控解码器的设计和集成
陈群伟,洪志良
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 428-433
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MBE-GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响
胡雨生,汪乐
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 434-438
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非晶硅X-射线探测阵列的研究
郑怀德,廖显伯,孔光临,刁宏伟,万旭东,夏传钺,潘广勒,肖君
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 439-442
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多晶硅发射区晶体管的解析模型
马平西,张利春,赵宝瑛,王阳元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 443-451
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一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路
李斌桥,李志坚,石秉学
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 452-457
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数据流图的优化:时序重构和结合关系重构
王以峰,洪先龙,徐葭生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 458-467
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硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性
张仿清,谢二庆,杨斌,才永明,陈光华
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 468-472
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杂质锗对CZ-Si性能的影响
张维连,刘彩池,王志军,冀志江
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 473-476
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光致发光纳米晶粒硅薄膜的电子自旋共振研究
刘湘娜,王路春,佟嵩,鲍希茂,眭云霞,韩世莹,金通政
Chin. J. Semicond.  1995, 16(6): 477-480
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