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Volume 16, Issue 7, Jul 1995

    CONTENTS

  • 具有直接带隙的[001]Si_m/Ge_n应变超晶格

    马秋鸣,王康隆,罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 481

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    本文用半经验紧束缚法(LCAO)对赝形生长在(001)Si1-yGey(0≤y≤1)衬底上的Sim/Gen(2≤m+n≤40)应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算.结果表明,当Si层和Ge层的厚度m和n的取值分别为(1,4),(2,3),(3,2),(4,1),(2,8),(3,7),(4,6),(6,4),(3,6),(6,3),(7,7)时,对称应变Sim/Gen超晶格的能带结构为直接带隙,其中m+n=10的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实.本文所得的m+n=5及其它m+n≠10的直接

  • (GaAs/AlAs)_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究

    罗昌平,江德生,李锋,庄蔚华

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 487

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    首次用光伏方法研究了(GaAs/AlAs)n短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题.不同于其它方法,光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小.这种空间分离在Ⅰ类超晶格中为零,而在Ⅱ类超晶格中不为零.(GaAs/AlAs)n短周期超晶格在n=10和11时被指认为Ⅱ类超晶格,在n=15时被指认为Ⅰ类超晶格.与其它大部分实验结果一致.

  • Si_(0.5)Ge_(0.5)合金的热氧化物的研究

    邢益荣,崔玉德,殷士端,张敬平,李侠,朱沛然,徐田冰

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 491

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    利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征.结果表明:这种氧化物为双层结构.靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并堆积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近.在本实验条件下,(Si,Ge)Ox层的厚度约为2500A,它的形成时间不足5分种.当氧化的时间延长时,SiOx的厚度随之增加,但(Si,Ge)Ox的厚度几乎不变.还发现:在这些氧化物中,Si2p和Ge3

  • 浅施主杂质态在n-Hg_(1-x)Cd_xTe磁致金属-绝缘体相变中的作用

    郑国珍,韦亚一,郭少令,汤定元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 497

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    在0.3-4.2K温度范围,测量了n-Hg1-xCdxTe(x=0.195)在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数.观察到了磁致金属-绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹"HalldiP".基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型,讨论了磁致金属-绝缘体相变的机理及其温度效应和"Halldip"的起因.

  • 新构思硅红外探测器

    王迅,叶令,胡际璜

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 503

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    在Si衬底上用MBE方法进行n型与p型δ掺杂,将Si的能带调制成锯齿型结构,产生Si的带间跃迁.控制掺杂浓度与周期,来控制电子(空穴)跃迁的有效能隙,可望制成8-12μm波长的Si超晶格带间跃迁型红外探测器.

  • 微机械梁内应力测量方法的研究

    邹泉波,刘理天,李志坚

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 509

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    本文提出了两种测量悬空薄膜内应力的新方法:阈值电压法和长梁挠曲法.对两种方法进行了理论分析与实验验证,并与已有的应力测量方法进行了对比,取得了吻合的结果.这两种方法测试非常简单,且可实现薄膜内应力的"片内"检测.其中,阈值电压法既能测膜的张、压应力,也能提取材料的弹性模量,这使它成为一种非常有吸引力的应力测量方法.

  • 薄膜全耗尽SIMOX/SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

    程玉华,魏丽琼,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 517

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    本文对SIMOX/SOI全耗尽N沟MOSFET中单晶体管Latch状态对器件性能的影响进行了实验研究.实验结果表明,短时间的Latch条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变.蜕变原因主要是Latch期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷(主要分布在漏端附近)所致.文章还对经过Latch应力后,全耗尽SOI器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析.

  • 半导体聚合发光二极管的结特性研究

    马於光,唐建国,刘式墉,刘明大,张瑞峰,沈家骢

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 524

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    本文报道用旋转镀膜工艺制备的半导体聚合发光二极管及其半导体聚合物与电极接触形成的结特性的研究.

  • SiH_4和GeH_4生长SiGe合金的CVD反应研究

    顾书林,王荣华,张荣,韩平,郑有

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 528

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    本文使用快速热处理超低压CVD方法,通过分解SiH4及GeH4气体生长SiGe合金层.俄歇电子能谱被用来检测SiGe合金中Ge的组分和SiGe合金层的厚度.实验发现:随着生长温度的升高,SiGe合金中Ge原子的结合率增加到最大值,然后减小;SiGe合金的生长速率在随生长温度增加过程中存在一个最大值;同时Ge原子的结合还会导致SiGe合金中Si原子淀积速率的上升.根据低温及低Ge组分下氢解吸几率的增加与高温高Ge组分下反应基团吸附几率的下降,本文对以上实验结果进行了解释.

  • MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

    任迪远,余学锋,陆妩,王国彬,张国强,范隆,严荣良

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 533

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    本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态密度增加分别对MOSFET跨导退化影响的简单模型.通过模型与实验结果比较,讨论了不同沟道类型MOSFET(NMOSFET和PMOSFET)跨导退化的机制.

  • NiIn(Ge)/n-GaAs欧姆接触的研究

    范缇文,丁孙安,张金福,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 541

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    本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与n型GaAs单晶欧姆接触NiIn(Ge)/n-GaAs材料.其接触电阻率ρc对随后的热退火温度存在着典型的U型依赖关系.透射电子显微镜(TEM)及俄歇电子能谱(AES)的分析结果指出ρc值的大小很大程度取决于GaAs衬底与金属接触材料间InGaAs相的形成及其覆盖度.文中还对金属接触材料与砷化镓相互作用的动力学进行了讨论.

  • 硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性

    何治平,周祖尧,徐宏来,林成鲁

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 546

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    超大规模集成电路与真空微电子器件的发展,要求制备超浅P-N结,低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术.本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试,研究了能量为10keV,入射束与样品法线的夹角分别为7°,15°,30°和60°的As+离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性.

  • 非对称双势垒结构中电子态的特异性

    宋爱民,郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 552

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    在包络波函数近似下自洽计算了非对称双势垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阶中准束缚能级Eac、Ewe随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了如果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三角势阱的基态能级Ecom,Ecom具有很好的二维性,这表明在过共振区DBS在入射端积累区中只存在二维电子.

  • Preparation of ZnO Nanometer Powder and Their ESR Properties

    余保龙,邹炳琐,吴晓春,张桂兰,汤国庆,陈文驹,白令君

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 558

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