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Volume 16, Issue 7, Jul 1995
CONTENTS
具有直接带隙的[001]Si_m/Ge_n应变超晶格
马秋鸣,王康隆,罗晋生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 481-486
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(GaAs/AlAs)_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究
罗昌平,江德生,李锋,庄蔚华
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 487-490
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Si_(0.5)Ge_(0.5)合金的热氧化物的研究
邢益荣,崔玉德,殷士端,张敬平,李侠,朱沛然,徐田冰
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 491-496
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浅施主杂质态在n-Hg_(1-x)Cd_xTe磁致金属-绝缘体相变中的作用
郑国珍,韦亚一,郭少令,汤定元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 497-502
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新构思硅红外探测器
王迅,叶令,胡际璜
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 503-508
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微机械梁内应力测量方法的研究
邹泉波,刘理天,李志坚
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 509-516
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薄膜全耗尽SIMOX/SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究
程玉华,魏丽琼,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 517-523
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半导体聚合发光二极管的结特性研究
马於光,唐建国,刘式墉,刘明大,张瑞峰,沈家骢
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 524-527
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SiH_4和GeH_4生长SiGe合金的CVD反应研究
顾书林,王荣华,张荣,韩平,郑有
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 528-532
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MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型
任迪远,余学锋,陆妩,王国彬,张国强,范隆,严荣良
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 533-540
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NiIn(Ge)/n-GaAs欧姆接触的研究
范缇文,丁孙安,张金福,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 541-545
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硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
何治平,周祖尧,徐宏来,林成鲁
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 546-551
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非对称双势垒结构中电子态的特异性
宋爱民,郑厚植
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 552-557
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Preparation of ZnO Nanometer Powder and Their ESR Properties
余保龙,邹炳琐,吴晓春,张桂兰,汤国庆,陈文驹,白令君
Chin. J. Semicond.  1995, 16(7): 558-560
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