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Volume 17, Issue 1, Jan 1996
CONTENTS
在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge/Si超晶格
盛篪,周铁城,龚大卫,樊永良,王建宝,张翔九,王迅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 1-5
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气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-Ⅴ族化合物材料
袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 6-10
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退火气氛对SIMOX材料Si/SiO_2界面特性的影响
李映雪,奚雪梅,王兆江,张兴,王阳元,林成鲁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 11-15
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偏心Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长S-L界面形状的数值模拟
王培林,邓开举,张国艳,周士仁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 16-20
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增益开关半导体激光超短脉冲研究
贾刚,衣茂斌,孙伟,高鼎三
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 21-26
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全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
高玉芝,张利春,尹红坤,宁宝俊
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 27-34
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注F CC4007电路的电离辐射效应
张国强,严荣良,罗来会,余学峰,任迪远,赵元富,胡浴红
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 35-40
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多晶/单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型
马平西,张利春,赵宝瑛,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 41-50
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InP系波导和光电探测器单片集成
杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海,朱祖华,胡征
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 51-54
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IGBT准数值模型和模拟
弓小武,楼旭,罗晋生
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 55-59
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MBE生长Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe超晶格的SIMS和AES谱
叶海,陈云良,王海龙
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 60-64
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GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
李志国,赵瑞东,孙英华,吉元,程尧海,郭伟玲,王重,李学信
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 65-70
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高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质
杨德仁,阙端麟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 71-75
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硅基多孔β-SiC蓝光发射的稳定性
廖良生,鲍希茂,王水凤,闵乃本
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 76-80
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