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Volume 17, Issue 2, Feb 1996
CONTENTS
GeSi/Si应变异质结构应变和应力分布的模型研究
李炳辉,韩汝琦,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 81-87
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GaInP材料生长及其性质研究
董建荣,刘祥林,陆大成,汪度,王晓晖,王占国
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 88-92
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SIMOX材料的TEM研究
李映雪,奚雪梅,王兆江,张兴,王阳元,林成鲁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 93-97
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Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究
高文钰,严荣良
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 98-104
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多晶硅发射区晶体管(PET)温度特性的解析理论分析
马平西,张利春,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 105-112
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一种新颖SLD减反射区结构的设计
陈维友,赵铁民,刘式墉
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 113-118
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AlGaAs/GaAs缓变异质结双极晶体管空间电行区中的复合电流
齐鸣,李爱珍
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 119-125
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BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析
吴金,魏同立,于宗光
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 126-130
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GaAs/AlGaAs光子平行存贮器的性能
夏永伟,滕学公,李国花,樊志军,王守武
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 131-135
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InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性
张之圣,胡明,刘志刚,王文生
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 136-140
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GaAs高速动态分频器在片测试研究
孙伟,田小建,孙建国,贾刚,衣茂斌,马振昌,王国全
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 141-144
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快速热氮化SiO_xN_y薄介质膜的电荷特性与光学性质
陈蒲生,岑洁儒,董长江
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 145-150
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GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器
张耀辉,江德生,夏建白,刘伟,崔丽秋,杨小平,宋春英,郑厚植,周增圻,林耀望
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 151-154
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Two-Dimensional Quantum Well Wire Semiconductor Laser Arrays
钱毅,张敬明,徐遵图,陈良惠,王启明,郑联喜,胡雄伟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(2): 155-160
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