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Volume 17, Issue 3, Mar 1996
CONTENTS
Al_xGa_(1-x)As/GaAs价带偏移的理论计算
王仁智,郑永梅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 161-165
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n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs的特性参数研究
沈顗华,朱文章,许淑恋
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 166-170
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Si-GaAs(001)异质界面的价带不连续性及其应变效应
柯三黄,黄美纯,王仁智
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 171-176
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氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究
谢二庆,巩金龙,徐灿,陈光华.
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 177-179
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有序Ga_(0.5)In_(0.5)P光致发光的研究
董建荣,刘祥林,陆大成,汪渡,王晓晖,王占国
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 180-185
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应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究
邹吕凡,王占国,范缇文
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 186-190
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p-GaAs/n-GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
陈朝,王健华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 191-195
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半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应
陈昌华,陈良惠,王启明
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 196-202
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异质结电荷注入晶体管
李桂荣,郑厚植,李月霞,郭纯英,李承芳,张鹏华,杨小平
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 203-206
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HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究
苏毅,张秀珠,陈良尧,包宗明,钱佑华,薛自,盛伯苓
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 207-211
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不同CO吸附类型对超细SnO_2气敏元件的作用
陆凡,陈涌英,彭少逸
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 212-216
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一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用
李斌桥,李志坚,石秉学
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 217-222
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SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究
郑立荣,陈逸清,张顺开,林成鲁,邹世昌
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 223-226
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GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究
牛智川,周增圻,林耀望,周帆,潘昆,张子莹,祝亚芹,王守武
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 227-230
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1.27μm吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器
张济志,王圩,张静媛,汪孝杰,李力,朱洪亮,王志杰,周帆,马朝华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 231-235
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Low Threshold GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Lasers
徐遵图,张敬明,杨国文,徐俊英,肖建伟,郑婉华,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 236-240
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