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Volume 17, Issue 5, May 1996
CONTENTS
势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布
徐至中
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 321-327
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转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟
李相民,侯洵
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 328-334
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用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变
胡晓明,林彰达
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 335-338
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全耗尽SOI nMOSFET的浮体效应物理模型
奚雪梅,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 339-346
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GaAlAs/GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件
罗毅,蒲锐,孙长征,彭吉虎,平田隆昭,江口匡史,中野义昭,多日邦雄
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 347-352
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退火对C_(60)薄膜电学性质的影响
巩金龙,李亚虹,马国斌,陈光华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 353-359
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B离子在n(Si)-GaAs层中的化学补偿效应
刘伊犁,罗晏,李国辉,姬成周
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 360-364
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硅(外延)片表面结构缺陷的光学无损检测
邓江东,李增发,张光寅,颜彩繁,王宏杰
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 365-369
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用常压CVD方法制备的氟掺杂的绒面SnO_2膜的电导特性
张德恒,马洪磊,温卓尚
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 370-375
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高频溅射碳化硅薄膜的退火效应
陈伟,王玉霞,蔡维理,汤洪高,石磊,卢江,胡克良,周贵恩,赵亚盾,钱逸泰
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 376-379
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超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究
叶志镇,姜小波,袁骏,李剑光
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 380-385
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高组装密度器件的散热分析
王世萍,栾永卫,赵惇殳
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 386-391
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MOCVD生长大功率单量子阱激光器
郑联喜,肖智博,韩勤,金才政,周帆,马朝华,胡雄伟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 392-395
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低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
马骁宇,王树堂,熊飞克,郭良,王仲明,曾靖,王丽明,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1996, 17(5): 396-400
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