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Volume 17, Issue 8, Aug 1996

    CONTENTS

  • 温度对势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 561

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    采用有效质量近似下的包络函数方法,对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算.详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响.

  • (100)和(111)BGaAs衬底上的In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算

    张晓波,刘颖,杜国同,殷景志

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 568

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    在(100)和(111)BGaAs衬底上,同时用MOCVD生长出In0.14Ga0.86As多量子阱结构.对两种晶向的样品进行了低温(2K)光致发光谱特性对比研究,测量与理论计算的光发射能量对比表明:(100)面样品两者一致,而(111)B样品计算值比测量值高出10~15meV.这一差别用(111)B面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释.

  • 稀磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

    陈晞,王学忠,刘继周,陈辰嘉,王杰,凌震,王迅,王淑梅,吕少哲

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 573

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    用分子束外延生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格.由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在低组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/Znse超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xSe为垒转换成Zn1-xSe为阱,ZnSe为垒.瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中Mn++离子的激发态弛豫时间远大于Zn1=xMnxSe外延模中Mn++离子的弛豫时间,这可能是由于

  • 1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟

    赵铁民,陈维友,彭宇恒,刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 578

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    束传播方法广泛的应用于无源波导器件的模拟与设计.为了能够模拟有源器件,例如金属包层波导和超辐射发光二极管(SLD),我们将复折射率引入其中,器件的增益和吸收通过折射率的虚部来描述.用复折射率的有限差分矢量束传播方法,我们对1.3μm直条形吸收区SLD进行了模拟与设计,并且给出一种新结构.

  • GaAs、Al_xGa_(1-x)As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测

    王宗欣,褚幼令

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 583

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    用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光电导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率.本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm2,具有无损伤、不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便.

  • MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

    周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,王圩

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 589

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    在MBE生长“DBR型结构性材料”的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.我们首次在国内采用这项技术,利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.

  • 一个检测半导体激光器质量的有效方法

    石家纬,金恩顺,李红岩,李正庭,郭树旭,高鼎三,余金中,郭良

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 595

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    对一百支PBC结构的InGaAsP/InP激光器的检测表明,通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选.

  • 77KFowler-Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

    刘卫东,李志坚,刘理天

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 601

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    本文研究77K下薄栅NMOSFET在F-N均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性.发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷,使阈值电压下降;而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强,并高于室温下的对应值,从而导致NMOSFET关态特性变差,沟道电阻增大,以及电流驱动能力的显著降低;提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制.

  • MOS结构中的两类慢界面态

    高文钰,严荣良,大西一功

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 607

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    通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反,FowlerNordheim高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央.并探讨了这些慢态的微观机理.

  • 亚表面齐纳基准二极管可靠性的1/f噪声预测方法

    庄奕琪,孙青

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 611

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    寿命试验和噪声测试结果表明,亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化,同时发现失效器件皆为高初始1/f噪声器件,而且其寿命与初始1/f噪声电压近似成反比关系.机理分析表明,1/f噪声和基准电压退化均可归因于p-n结耗尽区内的位错.据此,可利用1/f噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价.

  • 硅双极晶体管低温电流增益模型修正

    苏九令,常旭

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 617

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    多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上.本文由基区电子电流密度Jn和发射区空穴电流密度Jp出发,根据实际掺杂情况中的近似高斯分布,分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响,指出引用这一近似在常温下偏差较小,在低温下则会出现较大的误差.在此基础上,对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正.结果表明,修正后的模型与PISCES模拟结果取得了较好的吻合.

  • 衬底正偏的MOSFET的近似模型

    陈萍,李志坚,刘理天

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 622

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    本文针对衬底正偏的MOSFET的解析模型进行了讨论.在已有MOSFET理论基础上,仅引入一个参数ξ,便得到了全偏压范围的MOSFET的解析表达式的通式.当ξ=1时,该表达式与已知的衬底负偏的MOSFET的表达式相同;当ξ=0.8时,可得到衬底正偏的MOSFET的近似解析式.实验结果验证了该模型的正确性.

  • 新型GaAsD-MESFETDCFL单元电路

    王庆康

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 628

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    本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路.

  • 高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

    刘秀喜,薛成山,林玉松,孙瑛,庄惠照

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 632

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    针对现行P型杂质扩散工艺的不足,开展了受主双质掺杂新技术的研究.经对比实验和工艺论证,首先研究成功开管铝镓一步扩散法.应用证明,该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的,产品电参数一致性和综合性能好,合格率高,为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径.

  • 低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究

    段家,张伯蕊,秦国刚,张国义,童玉珍,金泗轩,杨志坚,姚光庆

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 637

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    对用低压MOVPE法生长的非掺GaN外延膜,在其光致发光谱峰位370mm、590um和740um附近测量了光致发光激发(PLE)谱.对于590um和740um附近的发光来说,各样品的PLE峰都位于360um处,而对于370um发光来说,大部分样品PLE峰位于280um处,而有的样品却位于260与300nm两个波长处,对这些结果进行了讨论.

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