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Volume 17, Issue 8, Aug 1996
CONTENTS
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响
徐至中
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 561-567
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(100)和(111)BGaAs衬底上的In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算
张晓波,刘颖,杜国同,殷景志
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 568-572
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稀磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究
陈晞,王学忠,刘继周,陈辰嘉,王杰,凌震,王迅,王淑梅,吕少哲
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 573-577
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1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟
赵铁民,陈维友,彭宇恒,刘式墉
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 578-582
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GaAs、Al_xGa_(1-x)As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测
王宗欣,褚幼令
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 583-588
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MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,王圩
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 589-594
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一个检测半导体激光器质量的有效方法
石家纬,金恩顺,李红岩,李正庭,郭树旭,高鼎三,余金中,郭良
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 595-600
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77KFowler-Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究
刘卫东,李志坚,刘理天
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 601-606
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MOS结构中的两类慢界面态
高文钰,严荣良,大西一功
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 607-610
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亚表面齐纳基准二极管可靠性的1/f噪声预测方法
庄奕琪,孙青
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 611-616
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硅双极晶体管低温电流增益模型修正
苏九令,常旭
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 617-621
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衬底正偏的MOSFET的近似模型
陈萍,李志坚,刘理天
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 622-627
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新型GaAsD-MESFETDCFL单元电路
王庆康
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 628-631
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高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究
刘秀喜,薛成山,林玉松,孙瑛,庄惠照
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 632-636
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低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究
段家,张伯蕊,秦国刚,张国义,童玉珍,金泗轩,杨志坚,姚光庆
Chin. J. Semicond.  1996, 17(8): 637-640
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