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Volume 18, Issue 9, Sep 1997

    CONTENTS

  • 氢键分子链中扭结—反扭结孤子的非对称特性

    成元发, 曹万强

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 641

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    采用微扰方法研究了氢键分子链中原子间存在非简谐相互作用时,对扭结-反扭结孤子的影响,得到了3次方到6次方非简谐项下的扭结-反扭结孤子的非对称解,计算了由非简谐项引起的扭结-反扭结孤子的能量和有效质量.

  • Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

    靳彩霞, 凌震, 王东红, 俞根才, 王杰, 黄大鸣, 侯晓远, 沈孝良, 姚文华

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 648

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    用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMn

  • 低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

    周凯明, 李江, 李乙钢, 郭儒, 张光寅, 潘士宏, 李瑞钢, 朱战平, 梁基本

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 654

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    本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质.我们测量了它的I-V特性;用电调制透射谱测量了电吸收和电折变,并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应;用二波混合的方法测量了它的光折变性质.对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较.

  • 压应变In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP单量子阱的变温光致发光研究

    王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 660

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    我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS/lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K.发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关.对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量子阱界面起伏一个分子单层所致.说明量子阱界面极为平整,样品具有较高的质量.考虑到组分效应、量子尺寸效应及应变效应,计算了In0.63G0.37As/InP压应变量子阱中的激子跃迁能量,理论计算结果与实验结果符合得很好

  • Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

    桂永胜, 郑国珍, 褚君浩, 郭少令, 汤定元, 蔡毅

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 667

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    利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算,获得了不同表面电子浓度下,各子带的电子浓度、能级位置和有效质量.考虑了能带的非抛物性,由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好.

  • 晶粒尺寸分布对纳米晶硅薄膜喇曼散射谱的影响

    许怀哲, 朱美芳, 韩一琴, 侯伯元

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 674

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    用热丝助化学汽相反应法沉积了nc-Si:H薄膜,测量了它的喇曼散射谱,由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布.应用声子强限制模型和球形粒子假设,并考虑到纳米晶粒的分布对样品的喇曼散射谱进行了拟合.结果表明,在考虑到纳米粒子的尺寸分布后,采用指数权重函数比采用高斯型权重函数更接近于实验测量的喇曼谱.

  • 分形晶化的Au/a-Ge双层膜的非线性体V-Ⅰ特征

    张庶元, 陈志文, 谭舜, 田明亮, 张裕恒

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 679

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    本文报道了Au/a-Ge双层膜的分形晶化现象,并首次测量了An/a-Ge双层膜分形晶化的V-I特性.实验结果表明:分形晶化后的An/a-Ge双层膜具有反常的非线性V-I特征,应用隧道结网络(RTJN)模型对实验结果给予了合理的解释.

  • δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型

    张兴宏, 杨玉芬, 王占国

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 682

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    本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移串晶体管(HEMT)的二维量子模型,这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性,根据这个模型,我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度,同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度.模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中.详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化.

  • CMOS/SOD电路的高温工作特性

    顾长志, 金曾孙, 孟强, 邹广田, 陆剑侠, 苏秀娣, 许仲德, 姚达, 王怀荣

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 688

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    采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层,利用金刚石膜上的薄层硅(SOD)技术,制作了54HCTO3CMOS/SOD结构的集成电路.对该电路高温下的工作特性进行了研究.结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能,其工作温度明显高于体硅电路。

  • VEAP:基于全局优化的有效VLSI布局算法

    孔天明, 洪先龙, 乔长阁

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 692

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    本文中,针对规则的VLSI设计模式(门阵列,标准单元等),我们提出一种新的非常简单有效的布局算法.该算法基于严格的数学分析,可以证明能够找到全局最优解.在实验中发现,对于很大规模的电路,我们的算法比现有的所有算法都快.此外,我们的算法还能够同时适应于线长优化和时延优化模式.

  • 薄层电阻测试Mapping技术

    孟庆浩, 孙新宇, 孙以材

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 701

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    利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量,并用发度表示其分布,可得到薄层电阻的不均匀度及平均值.这种所谓Mapping技术更有利于评价材料质量.

  • 一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离

    竺士场, 张苗, 林成鲁, 黄宜平, 吴东平, 李金华

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 706

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    H+离子注入Si片并经一定条件退火,可在Si片中形成埋层微空腔(microcavity)层,结合Si片键合技术,用智能剥离(Smart-cut)技术成功地制备了Unibond-SOI材料,并用扩展电阻(SRP)、卢瑟福背散射(RBS/C)和剖面透射电子显微镜(XTEM)等初步分析了其结构和电学性质.

  • 硅片高温翘曲与常温机械强度

    谢书银, 石志仪, 陈忠祥, 张维连

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 710

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    不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明,众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的.高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系.抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力,而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力.

  • 不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响

    王志明, 吕振东, 封松林, 赵谦, 李树英, 吉秀江, 陈宗圭, 徐仲英, 郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 714

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    本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响.退火使量子点发光峰蓝移,发光强度减弱.深埋的量子点承受更大的应变,应变使退火引起的互扩散加强.GaAs盖层越厚,量干点的互扩散越明显,发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化.

  • n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备

    张玉明, 罗晋生, 张义门

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 718

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    本文报道了采用Au/NiCr在n型6H-SiC体材料上制备欧姆接触的实验结果,依次蒸发NiCr合金(重量百分比为80%Ni:20%Cr)和金层,高温退火后形成欧姆接触,用改进的四探针法测得最小比接触电阻为8.4e-5·cm2.达到了应用的要求.

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