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Volume 19, Issue 2, Feb 1998
CONTENTS
半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用
郭长志, 陈水莲, 郭九苓, 王舒民
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 81-91
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GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性
凌震, 靳彩霞, 俞根才, 王杰, 沈孝良, 张保平
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 92-96
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应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成
王志杰, 王圩, 王启明
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 97-102
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采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究
黄宜平, 李爱珍, 蒋美萍, 邹斯洵, 李金华, 竺士炀
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 103-107
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椭圆柱Bridgman炉生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体时固/液界面形状的数值模拟
王培林, 白红, 杨晶琦
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 108-114
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1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成
李宝军, 李国正, 刘恩科
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 115-122
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IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征
姜晓鸿, 郝跃, 许冬岗, 徐国华
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 123-126
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BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析
张廷庆, 刘家璐, 李建军, 赵元富
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 127-131
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用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性
潘家齐, 袁树忠, 吕福云, 范万德, 王劲松, 李献元
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 132-137
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模型参数对双极管差分对延时的影响
代铁军, 杨肇敏
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 138-143
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一种新的高性能开关电流排序电路
林谷, 石秉学
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 144-150
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SERR:基于模拟进化技术的性能驱动总体布线算法
杨昌玲, 严晓浪
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 151-157
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扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究
赵谦, 封松林, 王志明
Chin. J. Semicond.  1998, 19(2): 158-160
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