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Volume 20, Issue 12, Dec 1999
CONTENTS
GSMBE原位生长SiGeHBT材料
黄大定, 刘金平, 李建平, 林燕霞, 刘学锋, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1049-1053
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生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响
陈博, 王圩
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1054-1058
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Cd Zn Te晶体中位错分布特性研究
顾惠明, 杨建荣, 陈新强, 何力
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1059-1063
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硅中的氮氧复合物及其施主行为
刘培东, 张锦心, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1064-1070
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O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析
竺士炀, 黄宜平, 李爱珍, 吴东平, 王瑾, 茹国平, 包宗明
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1071-1074
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一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT
刘海涛, 陈启秀, 白玉明
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1075-1080
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一种单锁存器CMOS静态D触发器的设计
莫凡, 俞军, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1081-1086
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热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理
徐静平, 黎沛涛
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1087-1092
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背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响
刘汝萍, 赵建龙, 夏冠群, 吴剑萍, 顾成余, 詹琰
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1093-1097
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1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器
段子刚, 黄格凡, 张哲民, 刘德明, 黄德修
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1098-1101
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交叉增益调制型全光波长转换器频响特性的小信号分析
孙军强, 黄德修, 易河清
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1102-1108
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ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟
李玉鉴, 谭满清, 茅冬生, 陆建祖
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1109-1114
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性能驱动的多层布线有约束分层及其神经网络求解方法
胡卫明, 严晓浪
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1115-1121
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Ultralow Threshold Lasing in InGaAs/InGaAs PMQ WMicrodisk Laser
Ning Yongqiang, Wu Shengli,Wang Lijun, Lin Jiuling, Fu Dehui, Liu Yun, Wu Dongjiang, Zhao Jiamin), Liu Xingyuan, Jin Yix
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1122-1124
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Fluorescence Properties of Cd(OH)_2-activated CdSandCuS-coated CdSNanocry stals
Chen Hongming, Huang Xinfan, Xu Ling, He Yong, Chen Kunji
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1125-1128
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测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法
李言谨, 方家熊
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1129-1131
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硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响
徐文雷, 孟亮, 刘茂森
Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1132-1136
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