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Volume 20, Issue 2, Feb 1999
CONTENTS
GaN——第三代半导体的曙光
梁春广, 张冀
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 89-99
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用ab initio方法研究C_(28)的电子态和成键特征
黄春晖, 李俊篯
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 100-106
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碳和氮原子在氧沉淀中的作用
刘培东, 朱爱平, 张锦心, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 107-112
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一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型
张文良, 田立林, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 113-121
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半导体光放大器增益特性对四波混频波长转换效率的影响
孙军强, 张新亮, 陈娟, 黄德修, 易河清
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 122-127
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带尾纤的全光型硅微谐振器
丁纯, 王跃林, 喻浩, 王亚强, 徐义刚
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 128-134
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128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀制作
张新宇, 易新建, 赵兴荣, 张智, 何苗
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 135-138
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电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移
张胜坤, 蒋最敏, 秦捷, 林峰, 胡冬枝, 裴成文, 陆方
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 139-142
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硅基GaN薄膜的外延生长
张昊翔, 叶志镇, 卢焕明, 赵炳辉, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 143-146
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光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓
周玉刚, 沈波, 陈志忠, 陈鹏, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 147-151
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研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法
米侃, 赛小锋, 侯洵
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 152-156
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掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究
王印月, 薛华, 郭永平, 甘润今, 孙燕杰, 张亚菲, 杨映虎, 陈光华
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 157-161
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氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨
马智训, 廖显伯, 何杰, 程文超, 岳国珍, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 162-167
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GaP直接电光调制特性研究
张大明, 田小建, 张佰军, 衣茂斌
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 168-171
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Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术
陈峥, 汤庭鳌, 邹斯洵
Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 172-176
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