Journal of Semiconductors

2019年JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”

2020年11月JOS被EI数据库收录

Authors
About the Journal
Editorial Board

Home
Just Accepted
In Press
Current Issue
All Issues
Review Articles
Special Issues
JOSarXiv

Home
Just Accepted
In Press
Current Issue
All Issues
Review Articles
Special Issues
JOSarXiv

|

Issue Browser

Volume 20, Issue 7, Jul 1999

Table of Content

Select articles

CONTENTS

氮化镓缓冲层生长过程分析

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 529-533

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 529.

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英. 氮化镓缓冲层生长过程分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 529..Export: BibTex EndNote

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英. 氮化镓缓冲层生长过程分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 529...

掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 汪度, 王晓晖, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 534-538

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 534.

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 汪度, 王晓晖, 林兰英. 掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 534..Export: BibTex EndNote

刘祥林, 汪连山, 陆大成, 汪度, 王晓晖, 林兰英. 掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 534...

AlN/GaAs界面的AES和XPS研究

曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 539-542

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 539.

曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金. AlN/GaAs界面的AES和XPS研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 539..Export: BibTex EndNote

曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金. AlN/GaAs界面的AES和XPS研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 539...

同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究

来冰, 丁训民, 袁泽亮, 周翔, 廖良生, 张胜坤, 袁帅, 侯晓远, 陆尔东, 徐彭寿, 张新夷

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 543-547

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 543.

来冰, 丁训民, 袁泽亮, 周翔, 廖良生, 张胜坤, 袁帅, 侯晓远, 陆尔东, 徐彭寿, 张新夷. 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 543..Export: BibTex EndNote

来冰, 丁训民, 袁泽亮, 周翔, 廖良生, 张胜坤, 袁帅, 侯晓远, 陆尔东, 徐彭寿, 张新夷. 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 543...

CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

杨柏梁, 石川幸雄, 一色实

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 548-553

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 548.

杨柏梁, 石川幸雄, 一色实. CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 548..Export: BibTex EndNote

杨柏梁, 石川幸雄, 一色实. CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 548...

Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

裴成文, 秦捷, 刘晓晗, 胡冬枝, 张翔九, 黄大鸣, 蒋最敏

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 554-558

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 554.

裴成文, 秦捷, 刘晓晗, 胡冬枝, 张翔九, 黄大鸣, 蒋最敏. Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 554..Export: BibTex EndNote

裴成文, 秦捷, 刘晓晗, 胡冬枝, 张翔九, 黄大鸣, 蒋最敏. Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 554...

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿照, 孔梅影

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 559-561

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 559.

李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿照, 孔梅影. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 559..Export: BibTex EndNote

李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿照, 孔梅影. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 559...

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

赵福川, 夏冠群, 杜立新, 谈惠祖, 莫培根

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 562-568

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 562.

赵福川, 夏冠群, 杜立新, 谈惠祖, 莫培根. 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 562..Export: BibTex EndNote

赵福川, 夏冠群, 杜立新, 谈惠祖, 莫培根. 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 562...

离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响

姬荣斌, 李标, 方维政, 王善力, 杨建荣, 何力

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 569-872

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 569.

姬荣斌, 李标, 方维政, 王善力, 杨建荣, 何力. 离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 569..Export: BibTex EndNote

姬荣斌, 李标, 方维政, 王善力, 杨建荣, 何力. 离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 569...

Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究

窦红飞, 陈效双, 陆卫, 李志锋, 沈学础

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 573-577

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 573.

窦红飞, 陈效双, 陆卫, 李志锋, 沈学础. Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 573..Export: BibTex EndNote

窦红飞, 陈效双, 陆卫, 李志锋, 沈学础. Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 573...

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

张哲民, 金锦炎, 黄格凡, 黄德修, 李同宁

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 578-583

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 578.

张哲民, 金锦炎, 黄格凡, 黄德修, 李同宁. 1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 578..Export: BibTex EndNote

张哲民, 金锦炎, 黄格凡, 黄德修, 李同宁. 1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 578...

基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器

姜艾庆, 郝智彪, 孙长征, 罗毅, 王健华

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 584-588

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 584.

姜艾庆, 郝智彪, 孙长征, 罗毅, 王健华. 基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 584..Export: BibTex EndNote

姜艾庆, 郝智彪, 孙长征, 罗毅, 王健华. 基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 584...

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

谭满清, 茅冬生

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 589-592

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 589.

谭满清, 茅冬生. ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 589..Export: BibTex EndNote

谭满清, 茅冬生. ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 589...

PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究

陈维友, 刘式墉

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 593-600

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 593.

陈维友, 刘式墉. PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 593..Export: BibTex EndNote

陈维友, 刘式墉. PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 593...

新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析

李成, 杨沁清, 王启明

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 601-605

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 601.

李成, 杨沁清, 王启明. 新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 601..Export: BibTex EndNote

李成, 杨沁清, 王启明. 新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 601...

半导体制冷器“无限级联”温差电对工作参数的理论分析

宣向春, 王维扬

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 606-611

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 606.

宣向春, 王维扬. 半导体制冷器“无限级联”温差电对工作参数的理论分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 606..Export: BibTex EndNote

宣向春, 王维扬. 半导体制冷器“无限级联”温差电对工作参数的理论分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 606...

Analytical Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the Single-Diffused Junction Based on Double-sided Asymmetric Linearly Graded Approximation

He, Jin，Wang, Xin，Chen, Xingbi

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 612-618

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 612.

He, Jin，Wang, Xin，Chen, X bi. Analytical Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the Single-Diffused Junction Based on Double-sided Asymmetric Linearly Graded Approximation[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 612..Export: BibTex EndNote

He, Jin，Wang, Xin，Chen, X bi. Analytical Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the Single-Diffused Junction Based on Double-sided Asymmetric Linearly Graded Approximation[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 612...

一种改进的电流型排序电路

林谷, 石秉学

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 619-623

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 619.

林谷, 石秉学. 一种改进的电流型排序电路[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 619..Export: BibTex EndNote

林谷, 石秉学. 一种改进的电流型排序电路[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 619...

切割曝光技术及其在器件研究上的应用

海潮和, 陈焕章, 周小茵, 陈宝钦, 刘改芬

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 624-629

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 624.

海潮和, 陈焕章, 周小茵, 陈宝钦, 刘改芬. 切割曝光技术及其在器件研究上的应用[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 624..Export: BibTex EndNote

海潮和, 陈焕章, 周小茵, 陈宝钦, 刘改芬. 切割曝光技术及其在器件研究上的应用[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 624...

Si(100)面上3C-SiC的生长

王引书, 李晋闽, 张方方, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(7): 630-632

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(7): 630.

王引书, 李晋闽, 张方方, 林兰英. Si(100)面上3C-SiC的生长[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 630..Export: BibTex EndNote

王引书, 李晋闽, 张方方, 林兰英. Si(100)面上3C-SiC的生长[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(7): 630...

Search

Advanced Search >>

Issues

2024

Volume 45 lssue 3, Mar 2024

Volume 45 lssue 2, Feb 2024

Volume 45 lssue 1, Jan 2024
2023

Volume 44 lssue 12, Dec 2023

Volume 44 lssue 11, Nov 2023

Volume 44 lssue 10, Oct 2023

Volume 44 lssue 9, Sep 2023

Volume 44 lssue 8, Aug 2023

Volume 44 lssue 7, Jul 2023

Volume 44 lssue 6, Jun 2023

Volume 44 lssue 5, May 2023

Volume 44 lssue 4, Apr 2023

Volume 44 lssue 3, Mar 2023

Volume 44 lssue 2, Feb 2023

Volume 44 lssue 1, Jan 2023
2022

Volume 43 lssue 12, Dec 2022

Volume 43 lssue 11, Nov 2022

Volume 43 lssue 10, Oct 2022

Volume 43 lssue 9, Sep 2022

Volume 43 lssue 8, Aug 2022

Volume 43 lssue 7, Jul 2022

Volume 43 lssue 6, Jun 2022

Volume 43 lssue 5, May 2022

Volume 43 lssue 4, Apr 2022

Volume 43 lssue 3, Mar 2022

Volume 43 lssue 2, Feb 2022

Volume 43 lssue 1, Jan 2022
2021

Volume 42 lssue 12, Dec 2021

Volume 42 lssue 11, Nov 2021

Volume 42 lssue 10, Oct 2021

Volume 42 lssue 9, Sep 2021

Volume 42 lssue 8, Aug 2021

Volume 42 lssue 7, Jul 2021

Volume 42 lssue 6, Jun 2021

Volume 42 lssue 5, May 2021

Volume 42 lssue 4, Apr 2021

Volume 42 lssue 3, Mar 2021

Volume 42 lssue 2, Feb 2021

Volume 42 lssue 1, Jan 2021
2020

Volume 41 lssue 12, Dec 2020

Volume 41 lssue 11, Nov 2020

Volume 41 lssue 10, Oct 2020

Volume 41 lssue 9, Sep 2020

Volume 41 lssue 8, Aug 2020

Volume 41 lssue 7, Jul 2020

Volume 41 lssue 6, Jun 2020

Volume 41 lssue 5, May 2020

Volume 41 lssue 4, Apr 2020

Volume 41 lssue 3, Mar 2020

Volume 41 lssue 2, Feb 2020

Volume 41 lssue 1, Jan 2020

Authors Preparing Your Manuscript Submit Your Manuscript Peer-Review Policy Ethical Policy Copyright and Permissions Word Template EndNote for References
About the Journal About the Journal Scope Advisory Board Editorial Board Contact Information
Link JoS in IOPScience Live Report in KouShare (“半语-益言”直播讲座) ScienceDB PHYSIKE Dyna Sense(鼎信优威)
WeChat ID
Mobile Terminal

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2

Export File

Format

RIS(for EndNote,Reference Manager,ProCite)

BibTex

Txt

Content

Citation Only

Citation and Abstract

Citation