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Volume 21, Issue 3, Mar 2000
CONTENTS
全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件
黄德修
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 209-214
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Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor
陈鹏, 张荣, 周玉刚, 罗志云, 谢世勇, 陈志忠, 李卫平, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 215-218
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Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
李联合, 张伟, 潘钟, 林耀望, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 219-224
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CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响
额尔敦朝鲁, 肖景林, 李树深
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 225-231
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掺铒硅光致发光激子传递能量机制
雷红兵, 杨沁清, 欧海燕, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 232-238
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UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应
叶志镇, 章国强, 亓震, 黄靖云, 卢焕明, 赵炳辉, 汪雷, 袁骏
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 239-244
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半导体CdS簇合物的制备及性能
张敬波, 林原, 肖绪瑞
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 245-249
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料
成步文, 李代宗, 黄昌俊, 于卓, 张春晖, 王玉田, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 250-254
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硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性
邹建平, 吴俊辉, 朱青, 濮林, 朱健民, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 255-259
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用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析
欧海燕, 杨沁清, 雷红兵, 王红杰, 余金中, 王启明, 胡雄伟
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 260-263
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快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰
李宁, 刘兴权, 李娜, 陈效双, 陆卫, 徐文兰, 袁先璋, 沈学础, 黄绮, 周均铭
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 264-267
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MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取
杨谟华, 于奇, 王向展, 陈勇, 刘玉奎, 肖兵, 杨沛锋, 方朋, 孔学东, 谭超元, 钟征宇
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 268-273
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双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区
张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 274-279
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MCT关断失效分析
张鹤鸣, 戴显英, 王伟
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 280-285
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计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
张鸿欣
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 286-289
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高速多级时钟网布线
李芝燕, 严晓浪
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 290-297
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基于不完全分解预优共轭梯度法的电源和地线网络求解器
武晓海, 殷莉, 洪先龙
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 298-302
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Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析
雷天民, 陈治明, 余明斌, 马剑平, 胡宝宏, 王建农
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 303-307
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掺杂nc-Si∶H膜的电导特性
彭英才, 刘明, 何宇亮, 李月霞
Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 308-312
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