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Volume 21, Issue 4, Apr 2000
CONTENTS
Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells
成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 313-316
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多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)
张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 317-324
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Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement
文化, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 325-332
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固体C_(70)/Si异质结的界面电子态
陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 333-339
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硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响
徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 340-345
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生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构
翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 346-353
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躺在石墨表面上的碳纳米管
刘虹雯, 薛增泉, 刘惟敏, 施祖进, 吴锦雷
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 354-358
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阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析
雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 359-364
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MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究
李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 365-368
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Au-GaN肖特基结的伏安特性
林兆军, 张太平, 武国英, 王玮, 阎桂珍, 孙殿照, 张建平, 张国义
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 369-372
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基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型
马玉涛, 刘理天, 李志坚
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 373-377
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MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火
姚育娟, 张正选, 姜景和, 何宝平, 罗尹虹
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 378-382
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PMOS剂量计的退火特性
范隆, 任迪远, 张国强, 严荣良, 艾尔肯
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 383-387
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GAT双极晶体管的高频高压兼容特性
庄宝煌, 黄美纯, 朱梓忠, 李开航, 吴丽清
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 388-393
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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 394-399
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基于神经网络方法预测薄膜的厚度
于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 400-403
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聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型
常旭, 宗祥福
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 404-408
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功率器件管壳的热应力分析
王雪梅, 孙学伟, 贾松良
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 409-413
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InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东
Chin. J. Semicond.  2000, 21(4): 414-416
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