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Volume 22, Issue 12, Dec 2001
CONTENTS
高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)
施卫
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1481-1485
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新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感(英文)
刘畅, 陈学良, 严金龙
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1486-1489
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一种快速的组合电路RTL功耗估算器(英文)
赵文庆, 崔铭栋, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1490-1496
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一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术(英文)
李拂晓, 杨乃彬
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1497-1500
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用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术(英文)
竺士炀, 李爱珍, 黄宜平
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1501-1506
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C掺杂对离子注入合成β- FeSi_2 薄膜的影响
李晓娜, 聂冬, 董闯, 徐雷, 张泽
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1507-1415
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硅片发生室温键合所需的平整度条件
韩伟华, 余金中
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1516-1518
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Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹
任黎明, 陈宝钦
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1519-1524
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Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射
唐宁, 吴兴龙, 顾沂, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1525-1528
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LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力
陈大鹏, 叶甜春, 谢常青, 李兵, 赵玲莉, 韩敬东, 胥兴才
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1529-1533
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高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为
李玉国, 薛成山
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1534-1537
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CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料
王启元, 林兰英, 何自强, 龚义元, 蔡田海, 郁元桓, 何龙珠, 高秀峰, 王建华, 邓惠芳
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1538-1542
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一种新颖微机械数模转换器的模拟与设计优化(英文)
刘清惓, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1543-1545
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硅基SiO_2光波导
徐永青, 梁春广, 杨拥军, 赵彤
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1546-1550
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MEMS光开关
梁春广, 徐永青, 杨拥军
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1551-1556
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LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器
李忠辉, 王向武, 杨进华, 张兴德
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1557-1560
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新型程控模拟量发生器
王东辉, 李刚, 林雨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1561-1564
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低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真
吴郁, 陆秀洪, 亢宝位, 王哲, 程序, 高琰
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1565-1571
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大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统
陈少武, 韩勤, 胡传贤, 金才政
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1572-1576
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FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测
穆甫臣, 许铭真, 谭长华, 段小蓉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1577-1580
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双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降
甘学温, 王旭社, 张兴
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1581-1585
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PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
张进城, 郝跃, 朱志炜
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1586-1591
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薄栅介质TDDB效应
刘红侠, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1592-1595
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性
刘新宇, 刘运龙, 孙海锋, 海潮和, 吴德馨, 和致经, 刘忠立
Chin. J. Semicond.  2001, 22(12): 1596-1599
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