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Volume 24, Issue 6, Jun 2003
CONTENTS
GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)
刘建军, 苏会, 关荣华, 杨国琛
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 561-566
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无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文)
孙国胜, 孙艳玲, 王雷, 赵万顺, 罗木昌, 张永兴, 曾一平, 李晋闽, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 567-573
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用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术(英文)
龙永福, 朱自强, 赖宗声
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 574-578
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超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制(英文)
杨国勇, 霍宗亮, 王金延, 毛凌锋, 王子欧, 谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 579-585
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一种高性能的新结构IGBT(英文)
程序, 吴郁, 刘兴明, 王哲, 亢宝位, 李俊峰, 韩郑生
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 586-591
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一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)
何平, 江波, 林曦, 刘理天, 田立林, 李志坚, 董业明, 陈猛, 王曦
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 592-597
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重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力
余学功, 杨德仁, 马向阳, 杨建松, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 598-601
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
胡国新, 王晓亮, 孙殿照, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 602-605
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铝掺杂氧化锌薄膜在玻璃衬底上的RF反应共溅射低温织构生长
邵乐喜, 张昆辉, 黄惠良
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 606-611
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超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层
陆华, 屈新萍, 王光伟, 茹国平, 李炳宗
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 612-616
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Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性
康晓旭, 林殷茵, 汤庭鳌, 王晓光, 钟宇, 黄维宁, 姜国宝
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 617-621
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在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管
张海燕, 叶志镇, 黄靖云, 李蓓, 谢靓红, 赵炳辉
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 622-625
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超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应
韩晓亮, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 626-630
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压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜
郭方敏, 朱自强, 赖宗声, 朱守正, 朱荣锦, 忻佩胜, 范忠, 贾铭, 程知群, 杨根庆
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 631-636
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双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证
黄飞鸿, 郑国祥, 吴瑞
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 637-642
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一个面积和功耗优化且适用于10/100 Base-T以太网的CMOS时钟恢复电路
王彦, 叶凡, 李联, 郑增钰
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 643-648
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板上芯片固化后残余应力分布的有限元模拟
黄卫东, 孙志国, 彩霞, 罗乐, 程兆年
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 649-655
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多能级闪存的总剂量辐射效应
孟宣华, 殷光迁, 顾靖, 何国伟
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 656-662
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多孔硅的干燥方法
虞献文, 朱荣锦, 朱自强, 应桃开, 李爱珍
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 663-667
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蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究
秦福文, 顾彪, 徐茵, 杨大智
Chin. J. Semicond.  2003, 24(6): 668-672
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