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Volume 24, Issue 8, Aug 2003
CONTENTS
使用SiO_2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂(英文)
张靖, 陆羽, 王圩
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 785-788
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FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量(英文)
韩春林, 刘瑞喜, 国伟华, 于丽娟, 黄永箴
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 789-793
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半导体激光器芯片3dB带宽的测量(英文)
徐遥, 王圩, 王子宇
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 794-797
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多晶硅衬底上的RF MEMS开关(英文)
张正元, 温志渝, 徐世六, 张正番, 刘玉奎, 李开成, 黄尚廉
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 798-802
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一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法(英文)
杨国勇, 毛凌锋, 王金延, 霍宗亮, 王子欧, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 803-808
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SOI MOSFET的失真行为(英文)
张国艳, 黄如, 张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 809-812
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应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
马芙蓉, 李雪春, 梁宏, 吴虎才, 李晓民, 陈如意, 罗晏, 卢志恒
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 813-816
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利用多项式拟合规范化方法实现范德堡函数的高精度反演
王静, 孙以材, 刘新福
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 817-821
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
刘杰, 沈波, 周玉刚, 周慧梅, 郑泽伟, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 822-826
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近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱
武莉莉, 冯良桓, 蔡伟, 张静全, 蔡亚平, 郑家贵, 朱居木, 陈诺夫
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 827-832
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高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试
李国强, 谷智, 介万奇
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 833-836
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CdS薄膜的制备及其性能
黎兵, 冯良桓, 郑家贵, 蔡亚平, 蔡伟, 李卫, 武莉莉
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 837-840
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多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法
胡小华, 王圩, 朱洪亮, 王宝军, 李宝霞, 周帆, 田惠良, 舒惠云, 边静, 王鲁峰
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 841-846
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AlGaN/GaN HEMT器件的研制
张小玲, 吕长治, 谢雪松, 李志国, 曹春海, 李拂晓, 陈堂胜, 陈效建
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 847-849
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光电双基区晶体管的工作机理
夏克军, 李树荣, 李丹, 郑云光, 毛陆虹, 郭维廉
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 850-855
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GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究
李志国, 宋增超, 孙大鹏, 程尧海, 张万荣, 周仲蓉
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 856-860
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阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析
于晓梅, 张大成, 李婷, 王小宝, 阮勇, 杜先锋
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 861-865
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热激励硅谐振梁压力传感器闭环数据采集系统
范兆岩, 崔大付, 陈德勇, 高晓童
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 866-870
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CMOS宽动态范围的可变增益放大器
郑吉华, 李永明, 陈弘毅
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 871-876
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电容式微传声器的性能模拟与优化设计
宁瑾, 刘忠立
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 877-881
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基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析
黄黎蓉, 黄德修, 缪庆元
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 882-886
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硅片直接键合杂质分布的模型与模拟
张佩君, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 887-891
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LDD-CMOS中ESD及其相关机理
马巍, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2003, 24(8): 892-896
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