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Volume 26, Issue 4, Apr 2005
CONTENTS
Temperature Dependent Raman Scattering of Phonon Modes and Defect Modes in GaN and p-Type GaN Films
Wang Ruimin, Chen Guangde,Lin J Y,and Jang H X
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 635-640
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Growth of Strained Si1-xGex Layer by UV/UHV/CVD
Hu Huiyong, Zhang Heming, Dai Xianying, Li Kaicheng, Wang Wei, Zhu Yonggang, Wang Shunxiang, Cui Xiaoying, and Wang Xiyuan
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 641-644
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Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate
Shen Xiaoming, Wang Yutian, Wang Jianfeng, Liu Jianping, Zhang Jicai, Guo Liping, Jia Quanjie, Jiang Xiaoming, Hu Zhengfei, Y
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 645-650
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Electrical Properties of Ultra Thin Nitride/Oxynitride Stack Dielectrics pMOS Capacitor with Refractory Metal Gate
Zhong Xinghua, Wu Junfeng, Yang Jianjun, and Xu Qiuxia
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 651-655
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Off-State Breakdown Characteristics of Body-Tied Partial-Depleted SOI nMOS Devices
Wu Junfeng, Zhong Xinghua, Li Duoli, Kang Xiaohui, Shao Hongxu, Yang Jianjun, Hai Chaohe, and Han Zhengsheng
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 656-661
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10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme
Sun Changzheng, Xiong Bing, Wang Jian, Cai Pengfei, Tian Jianbo, Luo Yi, Liu Yu, Xie Liang, Zhang Jiabao,and Zhu Ninghua
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 662-666
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Compact Threshold Voltage Model for FinFETs
Zhang Dawei, Tian Lilin,and Yu Zhiping
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 667-671
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Elevated Source/Drain Engineering by Novel Technology for FullyDepleted SOI CMOS Devices and Circuits
Lian, Jun, and, Hai, Chaohe
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 672-676
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Bandwidth Design for CMOS Monolithic Photoreceiver
Nian Hua, Mao Luhong, Li Wei,Chen Hongda,and Jia Jiuchun
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 677-682
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Improving Detectability of Resistive Shorts in FPGA Interconnects
Gao Haixia, Dong Gang,and Yang Yintang
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 683-688
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A Signal-Flow Driven Automatic Physical Synthesis Methodology for Analog Circuits
Long Di, Hong Xianlong, and Dong Sheqin
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 689-696
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Al含量对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响
戴宪起, 黄凤珍, 郑冬梅
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 697-701
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稀土钕离子对立方晶型FeS2结构及光性能的影响
徐金宝, 郑毓峰, 李锦, 孙言飞, 吴荣
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 702-706
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GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟
何为, 郝智彪, 罗毅
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 707-710
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In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响
朋兴平, 王印月, 方泽波, 杨映虎
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 711-715
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氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质
冯良桓, 张静全, 蔡伟, 黎兵, 蔡亚平, 武莉莉, 李卫, 郑家贵, 蔡道林
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 716-720
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溶胶-凝胶提拉法制备MgxNi1-xO薄膜与表征
何作鹏, 季振国, 杜娟, 王玮, 范镓, 叶志镇
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 721-725
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GaN生长速率的研究
金瑞琴, 赵德刚, 刘建平, 张纪才, 杨辉
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 726-729
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性
吕建国, 叶志镇, 诸葛飞, 曾昱嘉, 赵炳辉, 朱丽萍
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 730-734
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MOCVD生长GaN材料的模拟
郭文平, 邵嘉平, 罗毅, 孙长征, 郝智彪, 韩彦军
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 735-739
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Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应
楼燕燕, 王林军, 张明龙, 顾蓓蓓, 苏青峰, 夏义本燕, 夏义本
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 740-744
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(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
韦文生, 王天民, 张春熹, 李国华, 卢励吾
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 745-750
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基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型
姚韵若, 朱大中
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 751-755
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高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管
刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 756-759
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一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法
刘桂云, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 760-763
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SOI基双级RESURF二维解析模型
郭宇锋, 方健, 张波, 李泽宏, 李肇基
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 764-769
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基于PEEC方法的片内螺旋电感建模
李富华, 赵吉祥, 李征帆
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 770-774
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一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器
韩益锋, 李强, 闵昊, 谢文录
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 775-780
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数字射频存储器用DAC静态参数的表征与测试
张有涛, 夏冠群, 李拂晓, 高建峰, 杨乃彬涛, 杨乃彬
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 781-785
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高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器
王闯, 钱蓉, 孙晓玮, 顾建忠
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 786-789
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一种红外探测器专用77K工作CMOS前置放大器
袁红辉, 袁剑辉, 王京辉
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 790-794
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TiO2薄膜紫外探测器的光电特性
甘勇, 刘彩霞, 张爽, 薛海林, 董玮, 张歆东, 邹博, 吴凤清, 徐宝琨, 陈维友
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 795-797
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MSM光探测器直流特性的二维分析
于弋川, 何建军, 何赛灵, 邹勇卓
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 798-804
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垂直腔面发射激光器的热学特性
侯识华, 赵鼎, 孙永伟, 徐云, 谭满清, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 805-811
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基于SOA的交叉增益调制中探测光能量的数值分析
刘超, 金潮渊, 黄永箴, 祝宁华
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 812-815
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具有多运动自由度的新型多功能微镜
余洪斌, 陈海清
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 816-820
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旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
张有涛, 夏冠群, 李拂晓, 高建峰, 杨乃彬
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 821-825
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1V电源的CMOS能隙电压基准源
盛敬刚, 陈志良, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 826-829
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晶片表面几何特性对键合的影响
陈斌, 黄永清, 任晓敏
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 830-834
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注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
张国强, 刘忠立, 李宁, 范楷, 郑中山, 张恩霞, 易万兵, 陈猛, 王曦
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 835-839
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新型多晶硅薄膜热膨胀系数在线测试结构
张宇星, 黄庆安, 李伟华
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 840-845
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快速计算频变互连电感电阻的加权平均法
魏洪川, 喻文健, 王泽毅
Chin. J. Semicond.  2005, 26(4): 846-850
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