2019年JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”

2020年11月JOS被EI数据库收录

Chin. J. Semicond. > Volume 17 > Issue 7 > Article Number: 518

Previous Article

|

电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用

陈维德，李秀琼，段俐宏，谢小龙

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

Abstract: 采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合．

Search

Share:

Article Metrics

Article views: 1486 Times PDF downloads: 1063 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 July 1996

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2